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半导体硅片化学机械抛光电化学与抛光速率研究
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半导体硅片化学机械抛光电化学与抛光速率研究
论文目录
 
摘要第1-6 页
ABSTRACT第6-9 页
目录第9-11 页
第一章 文献综述第11-24 页
　　· 化学机械抛光技术的产生、现状及发展趋势第11-18 页
　　　　· 集成电路的发展对高品质硅片的需求第11 页
　　　　· 化学机械抛光技术的产生第11-14 页
　　　　· 化学机械抛光技术的研究与发展第14-18 页
　　· 化学机械抛光中的电化学研究第18 页
　　· 化学机械抛光机理研究第18-22 页
　　· 化学机械抛光存在的问题第22 页
　　· 本文研究内容及意义第22-24 页
第二章 实验方法与装置第24-27 页
　　· 实验材料第24 页
　　· 主要测试及分析仪器第24-25 页
　　· 实验装置第25 页
　　· 实验方法第25-27 页
第三章 硅的基本性质第27-31 页
　　· 硅的基本性质及其应用第27-29 页
　　· 硅水体系 E-pH 图第29-31 页
第四章 半导体硅片在纳米 SiO_2 浆料中的腐蚀成膜特性第31-49 页
　　· 电极极化基本理论第31-32 页
　　· 交流阻抗的基本理论第32-33 页
　　· 腐蚀成膜的影响因素第33-45 页
　　　　· 浆料 pH 值的影响第34-39 页
　　　　· SiO_2 固含量的影响第39-40 页
　　　　· 成膜时间的影响第40-42 页
　　　　· H_2O_2 浓度的影响第42-45 页
　　· 硅片的成膜机理第45-47 页
　　· 本章小结第47-49 页
第五章 半导体硅片化学机械抛光过程中的电化学行为第49-71 页
　　· 抛光过程中的极化曲线第49-65 页
　　　　· 抛光压力的影响第49-55 页
　　　　· 抛光转速的影响第55-58 页
　　　　· SiO_2 固含量的影响第58-61 页
　　　　· 浆料 pH 值的影响第61-63 页
　　　　· H_2O_2 浓度的影响第63-65 页
　　· 抛光过程中腐蚀电位的变化第65-69 页
　　· 本章小结第69-71 页
第六章 半导体硅片抛光速率及机理研究第71-84 页
　　· 抛光压力对抛光速率的影响第71-73 页
　　· 抛光转速对抛光速率的影响第73-74 页
　　· SiO_2 固含量对抛光速率的影响第74-76 页
　　· 浆料 pH 值对抛光速率的影响第76-77 页
　　· H_2O_2 浓度对抛光速率的影响第77-78 页
　　· 抛光时间对抛光速率的影响第78-79 页
　　· 硅片的抛光机理第79-82 页
　　· 本章小结第82-84 页
第七章 结论第84-85 页
参考文献第85-92 页
致谢第92-93 页
攻读硕士学位期间主要的研究成果第93-94 页

本篇论文共94页，点击这进入下载页面。
 
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