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紫外写入技术制作平面光波导器件的应用
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紫外写入技术制作平面光波导器件的应用
论文目录
 
第一章引言第1-16 页
　　· 波分复用技术第9-11 页
　　　　· 波分复用技术的概念第9 页
　　　　· 波分复用技术的发展历程第9-10 页
　　　　· 波分复用技术的主要特点第10-11 页
　　· 波分复用器件第11-14 页
　　　　· 光栅型WDM 器件第11-12 页
　　　　· 介质薄膜滤波器型WDM 器件第12-13 页
　　　　· 熔锥型WDM 器件第13 页
　　　　· 集成光波导型WDM 器件第13-14 页
　　· 列阵波导光栅波分复用器研究进展第14-16 页
第二章列阵波导光栅的原理、特性及应用第16-33 页
　　· 列阵波导光栅基本理论第16-20 页
　　　　· 列阵波导光栅的结构第16-17 页
　　　　· 列阵波导光栅的工作原理第17-20 页
　　· 列阵波导光栅器件性能优化第20-27 页
　　　　· 温度误差补偿型AWG第20-22 页
　　　　· 波长响应平坦型AWG第22-24 页
　　　　· 相位误差补偿型AWG第24-25 页
　　　　· 偏振无关型AWG第25-26 页
　　　　· 低损耗型AWG第26 页
　　　　· 均匀损耗周期频率(ULCF)型AWG第26-27 页
　　· 列阵波导光栅的应用第27-33 页
　　　　· 复用解复用器第27-28 页
　　　　· 波长路由器第28 页
　　　　· 光插分复用器(OADM )第28-30 页
　　　　· 光交叉连接器(OXC)第30-31 页
　　　　· 多波长光源第31 页
　　　　· 光波长选择开关(OWCS)第31-33 页
第三章火焰水解法制备硅基二氧化硅波导材料第33-47 页
　　· 硅基二氧化硅材料制备第33-40 页
　　　　· FHD 的原理、系统及实验过程第34-36 页
　　　　· SiO_2 膜的组分及结构分析第36-38 页
　　　　· SiO_2 膜的形貌分析第38-39 页
　　　　· SiO_2 膜的光学性质分析第39-40 页
　　　　· SiO_2 膜的厚度测试第40 页
　　　　· 小结第40 页
　　· 火焰水解法制备锗掺杂二氧化硅材料第40-46 页
　　　　· Ge 掺杂SiO_2 膜的结构分析第41-42 页
　　　　· Ge 掺杂量与材料折射率的关系第42-43 页
　　　　· Ge 掺杂SiO_2 膜的形貌分析第43-44 页
　　　　· Ge 掺杂SiO_2 膜的光学性质分析第44-46 页
　　　　· 小结第46 页
　　· 结论第46-47 页
第四章 锗硅材料的紫外光致折变研究第47-58 页
　　· 锗硅光纤的紫外光敏特性第47-50 页
　　　　· 锗硅材料的光致折变效应第47 页
　　　　· 锗硅材料的光致折变机理第47-48 页
　　　　· 锗硅薄膜光致折变效应的应用第48-50 页
　　· 锗硅薄膜的紫外光致折变的实验研究第50-56 页
　　　　· 锗硅薄膜的紫外光诱导实验第50-51 页
　　　　· 紫外曝光时间与折变量的关系第51-53 页
　　　　· 紫外曝光时间对结构的影响第53-55 页
　　　　· 紫外光致折变与厚度的关系第55 页
　　　　· 锗硅薄膜的紫外吸收特性第55-56 页
　　· 结论第56-58 页
第五章 紫外写入列阵波导光栅技术基础研究第58-66 页
　　· 紫外写入列阵波导光栅技术第58-61 页
　　　　· 传统方法制作列阵波导光栅第58 页
　　　　· 紫外写入AWG 的制作工艺第58-60 页
　　　　· 紫外写入AWG 的工艺参数设计第60 页
　　　　· 紫外写入AWG 器件参数优化第60-61 页
　　· 紫外写入平面波导光栅的实验研究第61-64 页
　　　　· 紫外曝光掩模板的选择与制作第61-62 页
　　　　· 紫外写入制备平面波导光栅第62-64 页
　　　　· 小结第64 页
　　· 结论第64-66 页
参考文献第66-72 页
致谢第72-73 页
中文摘要第73-76 页
英文摘要第76-79 页

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