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北微设备55纳米浅沟槽刻蚀工艺开发与其在量产中的应用
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北微设备55纳米浅沟槽刻蚀工艺开发与其在量产中的应用
论文目录
 
摘要第1-5页
abstract第5-6页
第一章 等离子刻蚀设备介绍和刻蚀工艺介绍第14-27页
　　　　1.1 研究背景第14-19页
　　　　　　　　1.1.1 刻蚀设备国内外现状第14-15页
　　　　　　　　1.1.2 等离子刻蚀设备特性与分类第15-17页
　　　　　　　　1.1.3 北微NMC系列机台特性介绍第17-19页
　　　　1.2 浅沟槽器件隔离技术介绍第19-21页
　　　　　　　　1.2.1 器件隔离技术的发展历程第19-21页
　　　　　　　　1.2.2 浅沟槽隔离技术介绍第21页
　　　　1.3 器件隔离整合工艺介绍第21-23页
　　　　　　　　1.3.1 HDP化学气相淀积工艺介绍第22页
　　　　　　　　1.3.2 化学机械研磨工艺(CMP)介绍第22-23页
　　　　1.4 浅沟槽刻蚀工艺介绍第23-25页
　　　　　　　　1.4.1 浅沟槽刻蚀工艺基本介绍第23-24页
　　　　　　　　1.4.2 北微浅沟槽刻蚀工艺开发和量产面临的挑战第24-25页
　　　　1.5 本论文的研究意义和内容第25-26页
　　　　1.6 本章小结第26-27页
第二章 55 纳米CIS双浅沟槽刻蚀工艺优化第27-50页
　　　　2.1 引言第27-28页
　　　　2.2 55纳米CIS双浅沟槽刻蚀工艺介绍第28-29页
　　　　　　　　2.2.1 双浅沟槽刻蚀膜层介绍第28页
　　　　　　　　2.2.2 双浅沟槽刻蚀工艺特性及要求第28-29页
　　　　2.3 双浅沟槽刻蚀工艺方案研究第29-30页
　　　　2.4 55纳米CIS双浅沟槽刻蚀工艺开发难点探讨第30-32页
　　　　2.5 第一道AA-ET刻蚀沟槽物理形貌研究第32-36页
　　　　　　　　2.5.1 第一道AA沟槽形貌的优化第33-35页
　　　　　　　　2.5.2 AA沟槽形貌的优化效果第35-36页
　　　　　　　　2.5.3 AA沟槽形貌改善对DAA形貌的影响第36页
　　　　2.6 第二道DAA-ET刻蚀沟槽形貌控制和优化第36-41页
　　　　　　　　2.6.1 基于HBr/O_2/He气体配置改善DAA-ET刻蚀沟槽形貌第37-39页
　　　　　　　　2.6.2 基于Cl_2/N_2/O_2 气体配置改善DAA-ET刻蚀沟槽形貌第39-41页
　　　　2.7 SIN HM台阶高度差控制和优化第41-45页
　　　　　　　　2.7.1 硅对SiN刻蚀选择比的影响因素研究第41-43页
　　　　　　　　2.7.2 工艺气体优化对选择比的改善研究第43-45页
　　　　2.8 工艺优化方案分析及改善效果第45-48页
　　　　　　　　2.8.1 工艺优化方案分析第45-46页
　　　　　　　　2.8.2 优化方案改善效果第46-48页
　　　　　　　　2.8.3 最优条件工艺窗口确认第48页
　　　　2.9 本章小结第48-50页
第三章 北微55纳米低功耗产品漏电流控制和优化第50-61页
　　　　3.1 引言第50页
　　　　3.2 北微55 纳米低功耗产品漏电流现状第50-51页
　　　　3.3 浅沟槽形貌对漏电影响的模型建立及机理分析第51-53页
　　　　　　　　3.3.1 STI工艺简要介绍第51页
　　　　　　　　3.3.2 北微与进口机台沟槽顶部形貌对比第51-52页
　　　　　　　　3.3.3 STI顶角圆化的理论模型第52-53页
　　　　3.4 实验设计和工艺优化第51-56页
　　　　　　　　3.4.1 通过TR步骤工艺优化改善顶角圆化第51-54页
　　　　　　　　3.4.2 通过BT步骤工艺优化改善顶角圆化第54-56页
　　　　3.5 工艺优化结果第56-57页
　　　　3.6 使用刻蚀速率监测方法及对形貌影响分析第57-58页
　　　　3.7 新条件漏电流表现验证第58-59页
　　　　3.8 本章小结第59-61页
第四章 腔体顶部部件造成晶圆中心缺陷的控制和优化第61-70页
　　　　4.1 引言第61页
　　　　4.2 PR Mode双浅沟槽缺陷成因分析第61-64页
　　　　　　　　4.2.1 PR Mode双浅沟槽刻蚀介绍第61-62页
　　　　　　　　4.2.2 缺陷现象分析第62-63页
　　　　　　　　4.2.3 缺陷成因分析第63-64页
　　　　4.3 改善方案探讨及实验第64-69页
　　　　　　　　4.3.1 主刻蚀程式和产品结构对缺陷的影响第64-65页
　　　　　　　　4.3.2 双浅沟槽刻蚀副产物构成分析第65页
　　　　　　　　4.3.3 双浅沟槽WAC程式优化方案第65-68页
　　　　　　　　4.3.4 双浅沟槽WAC程式优化效果第68-69页
　　　　4.4 本章小结第69-70页
第五章 边缘刻蚀缺陷的机理研究及改善方案第70-79页
　　　　5.1 引言第70页
　　　　5.2 浅沟槽刻蚀过程中的刻蚀缺陷分析第70-72页
　　　　5.3 刻蚀缺陷来源分析第72-75页
　　　　　　　　5.3.1 浅沟槽刻蚀制程工艺分析第72-73页
　　　　　　　　5.3.2 刻蚀反应腔结构分析第73-75页
　　　　5.4 浅沟槽刻蚀缺陷改善方案第75-78页
　　　　　　　　5.4.1 浅沟槽刻蚀工艺优化第75-76页
　　　　　　　　5.4.2 ESC内部密封部件材料优化第76-77页
　　　　　　　　5.4.3 改善后效果确认第77-78页
　　　　5.5 本章小结第78-79页
第六章 结束语第79-81页
参考文献第81-84页
致谢第84-85页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第85-87

本篇论文共87页，点击这进入下载页面。
 
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