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碳化硅光导开关的初步研究
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碳化硅光导开关的初步研究
论文目录
 
摘要第11-11页
ABSTRACT第11-13页
第一章 绪论第13-21页
　　1.1 碳化硅光导开关研究背景第13-16页
　　　　1.1.1 光导开关应用背景第13-15页
　　　　1.1.2 碳化硅材料的优势第15-16页
　　1.2 碳化硅光导开关研究现状第16-20页
　　　　1.2.1 国内研究现状第16页
　　　　1.2.2 国外研究现状第16-20页
　　1.3 论文主要工作和意义第20-21页
第二章 碳化硅光导开关物理分析第21-35页
　　2.1 光导开关工作原理与结构第21-23页
　　　　2.1.1 光导开关基本原理第21页
　　　　2.1.2 光导开关工作模式第21-22页
　　　　2.1.3 光导开关基本结构第22-23页
　　2.2 SiC-PCSS的半绝缘特性第23-26页
　　　　2.2.1 SiC-PCSS的半绝缘特性原理第23-24页
　　　　2.2.2 SiC-PCSS暗态电阻率的估算第24-26页
　　2.3 SiC-PCSS的光电导方式第26-34页
　　　　2.3.1 V掺杂 6H-SiC材料光吸收方式第26-27页
　　　　2.3.2 SiC-PCSS的光吸收规律第27-28页
　　　　2.3.3 SiC-PCSS导通电阻的推导第28-32页
　　　　2.3.4 SiC-PCSS导通电阻的方程化简第32-34页
　　2.4 本章小结第34-35页
第三章 碳化硅光导开关设计与仿真第35-55页
　　3.1 正对电极结构SiC-PCSS结构设计第35-39页
　　　　3.1.1 开关形貌和闪络击穿分析第35-36页
　　　　3.1.2 晶片横向尺寸设计第36页
　　　　3.1.3 正对电极结构设计第36-38页
　　　　3.1.4 绝缘材料封装设计第38-39页
　　3.2 SiC-PCSS半导体模型及模拟研究第39-47页
　　　　3.2.1 正对电极结构SiC-PCSS模拟第40-45页
　　　　3.2.2 同面电极结构SiC-PCSS模拟第45-47页
　　3.3 SiC-PCSS的PSpice模型及测试电路分析第47-53页
　　　　3.3.1 SiC-PCSS电阻模型的建立第47-49页
　　　　3.3.2 SiC-PCSS电阻模型的验证第49页
　　　　3.3.3 SiC-PCSS电路模型在开关测试电路中的应用第49-53页
　　3.4 本章小结第53-55页
第四章 钒掺杂碳化硅光导开关实验研究第55-68页
　　4.1 实验准备第55-58页
　　　　4.1.1 实验测试平台简介第55页
　　　　4.1.2 脉冲光源和实验光路第55-57页
　　　　4.1.3 测试电路的搭建第57-58页
　　4.2 同面电极开关实验结果第58-63页
　　　　4.2.1 开关形貌和暗电阻测量第58-59页
　　　　4.2.2 532 nm激光光电导实验第59-61页
　　　　4.2.3 激光触发位置实验研究第61-62页
　　　　4.2.4 实验结果的初步讨论第62-63页
　　4.3 正对电极开关初步试验研究第63-66页
　　　　4.3.1 开关形貌和暗电阻测量第63-64页
　　　　4.3.2 532 nm激光光电导实验第64-65页
　　　　4.3.3 开关损坏机制初步分析第65-66页
　　4.4 本章小结第66-68页
第五章 总结与展望第68-71页
　　5.1 主要工作和结果第68-70页
　　　　5.1.1 论文的理论仿真分析第68页
　　　　5.1.2 钒掺杂的 6H-SiC光导开关的实验结果和讨论第68-69页
　　　　5.1.3 大功率钒掺杂的 6H-SiC光导开关的设计思路第69-70页
　　5.2 工作展望第70-71页
　　　　5.2.1 碳化硅光导开关的研究展望第70页
　　　　5.2.2 碳化硅电子器件的发展展望第70-71页
致谢第71-73页
参考文献第73-76页
作者在学期间取得的学术成果第76页

本篇论文共76页，点击这进入下载页面。
 
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