化学气相沉积法制备二硫化钼薄膜及电学性能表征 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-6页 | | Abstract | 第6-9页 | | 1 绪论 | 第9-23页 | | · 引言 | 第9页 | | · MoS_2的结构 | 第9-11页 | | · MoS_2的性能 | 第11-14页 | | · MoS_2的力学性能 | 第11-12页 | | · MoS_2的光、电学性能 | 第12-14页 | | · MoS_2制备方法的研究现状 | 第14-20页 | | · 微机械剥离法 | 第14-15页 | | · 液相剥离法 | 第15-16页 | | · 锂离子插层剥离法 | 第16页 | | · 高温热分解法 | 第16-17页 | | · 化学气相沉积法 | 第17-19页 | | · MoS_2的应用 | 第19-20页 | | · MoS_2制备方法的选择 | 第20-21页 | | · 本文的研究内容与意义 | 第21-23页 | | · 研究内容 | 第21-22页 | | · 研究意义 | 第22-23页 | | 2 薄膜制备方法及表征技术 | 第23-32页 | | · 薄膜制备方法 | 第23-25页 | | · 引言 | 第23页 | | · 磁控溅射 | 第23-24页 | | · 化学气相沉积 | 第24页 | | · 原子层沉积 | 第24-25页 | | · 光刻与刻蚀技术 | 第25-26页 | | · 快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA) | 第26页 | | · 薄膜的表征方法 | 第26-32页 | | · MoS_2薄膜形貌表征方法 | 第26-29页 | | · MoS_2薄膜结晶质量表征方法 | 第29页 | | · MoS_2薄膜电学性能表征方法 | 第29-32页 | | 3 MoS_2薄膜的制备和形貌表征 | 第32-46页 | | · 引言 | 第32页 | | · MoS_2薄膜的制备 | 第32-39页 | | · 磁控溅射镀钼 | 第32-36页 | | · CVD法制备MoS_2 | 第36-37页 | | · MoS_2薄膜的转移 | 第37-39页 | | · MoS_2薄膜的表征 | 第39-45页 | | · 光学显微镜 | 第39-40页 | | · 原子力显微镜 | 第40-42页 | | · 拉曼散射图谱 | 第42-44页 | | · XRD衍射图谱 | 第44-45页 | | · 本章小结 | 第45-46页 | | 4 MoS_2-MOSFET的制备和电学特性表征 | 第46-54页 | | · 引言 | 第46页 | | · MoS_2晶体管的制备 | 第46-49页 | | · 背栅MoS_2-MOSFET的制备 | 第46-48页 | | · 顶栅MoS_2-MOSFET的制备 | 第48-49页 | | · MoS_2电学特性的表征 | 第49-53页 | | · 单层MoS_2-FET电学性能测试 | 第50-51页 | | · 多层MoS_2-FET电学性能测试 | 第51-52页 | | · 顶栅MoS_2-FET电学性能测试 | 第52-53页 | | · 本章小结 | 第53-54页 | | 5 基于MoS_2薄膜材料的传感器 | 第54-57页 | | · 引言 | 第54页 | | · MoS_2透明光敏传感器的制备 | 第54-55页 | | · MoS_2透明光敏传感器的性能测试 | 第55-56页 | | · 本章小结 | 第56-57页 | | 结论 | 第57-58页 | | 参考文献 | 第58-63页 | | 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第63-64页 | | 致谢 | 第64页 |
|
|
|
| |
