第一性原理对Bi系材料结构特性及应用的模拟研究



第一性原理对Bi系材料结构特性及应用的模拟研究

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第一性原理对Bi系材料结构特性及应用的模拟研究

论文目录
致谢	第1-5页
摘要	第5-6页
Abstract	第6-16页
变量注释表	第16-17页
1 绪论	第17-26页
· 半导体材料概述	第17-19页
· 化合物半导体模拟研究进展	第19-20页
· Bi系材料研究进展	第20-24页
· 本文研究内容	第24-26页
2 第一性原理理论基础	第26-35页
· 半导体中电子状态	第26-31页
· 第一性原理计算理论	第31-34页
· 本章小结	第34-35页
3 Bi_2Se_3电子结构第一性原理研究	第35-50页
· 引言	第35-36页
· Bi_2Se_3块体电子结构	第36-37页
· Bi_2Se_3薄膜电子结构	第37-38页
· Bi_2Se_3薄膜掺杂电子结构	第38-44页
· 平面应变下Bi_2Se_3薄膜电子结构	第44-49页
· 本章小结	第49-50页
4 Bi_2Te_3电子结构第一性原理研究	第50-60页
· 引言	第50-51页
· Bi_2Te_3块体电子结构	第51-55页
· 单QL-Bi_2Te_3薄膜电子结构	第55-58页
· 双QL-Bi_2Te_3薄膜电子结构	第58-59页
· 本章小结	第59-60页
5 Bi_2S_3电子结构第一性原理研究	第60-69页
· 引言	第60-61页
· Bi_2S_3块体电子结构	第61-62页
· Bi_2S_3块体掺杂电子结构	第62-65页
· Bi_2S_3 (R-3m结构)电子结构	第65-67页
· 本章小结	第67-69页
6 总结	第69-70页
参考文献	第70-76页
作者简历	第76-78页
	第78页

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