滴状冷凝自集水硅基微纳米表面设计



滴状冷凝自集水硅基微纳米表面设计

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滴状冷凝自集水硅基微纳米表面设计

论文目录
摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-11页
符号说明	第11-13页
第1章绪论	第13-27页
1.1 研究背景及意义	第13页
1.2 国内外研究现状	第13-14页
1.3 超疏水理论基础	第14-19页
1.3.1 Young模型	第14-15页
1.3.2 Wenzel模型	第15-16页
1.3.3 Cassie模型	第16-18页
1.3.4 滚动角	第18-19页
1.4 超疏水层的制备方法	第19-23页
1.4.1 模板印刷法	第19-20页
1.4.2 化学气相沉积和物理气相沉积	第20-21页
1.4.3 静电纺丝技术	第21页
1.4.4 刻蚀法	第21-23页
1.5 硅的各向异性刻蚀技术	第23-25页
1.6 分形理论	第25-26页
1.7 本论文的主要工作	第26-27页
第2章超疏水层微米结构的仿真设计与实验	第27-43页
2.1 引言	第27页
2.2 凸角补偿技术	第27-29页
2.3 凸角补偿图形的选择	第29-35页
2.3.1 第一阶段腐蚀仿真	第31-33页
2.3.2 第二阶段腐蚀仿真	第33-35页
2.4 实验部分	第35-41页
2.4.1 实验试剂和仪器	第35页
2.4.2 硅基超疏水层微米结构的制备	第35-39页
2.4.3 实验结果和分析	第39-41页
2.5 本章小结	第41-43页
第3章超疏水层纳米结构层的制备	第43-51页
3.1 引言	第43页
3.2 实验部分	第43-49页
3.2.1 实验主要试剂与仪器	第43-44页
3.2.2 纳米SiO_2溶胶的制备	第44-45页
3.2.3 氟硅溶胶的制备	第45页
3.2.4 单层纳米SiO_2超疏水涂层制备	第45-46页
3.2.5 测试与表征	第46页
3.2.6 复合纳米SiO_2粒子层	第46-47页
3.2.7 测试与表征	第47-49页
3.3 本章小结	第49-51页
第4章基于图像处理技术的硅基微纳二级结构分形分析	第51-63页
4.1 引言	第51页
4.2 图像处理系统	第51-53页
4.2.1 数字化图像	第51-52页
4.2.2 点运算	第52页
4.2.3 灰度直方图	第52-53页
4.2.4 灰度的线性变换	第53页
4.3 威纳滤波	第53-55页
4.4 直方图的均衡化	第55-56页
4.5 图像分析	第56-57页
4.5.1 去噪声	第56页
4.5.2 图片锐化	第56-57页
4.6 硅基微纳二级结构超疏水表面分形维数的计算	第57-62页
4.6.1 不同区域（纳米结构）分形维数的计算	第58-61页
4.6.2 不同微米间距下分形维数的对比	第61-62页
4.7 本章小结	第62-63页
第5章超疏水微纳二级结构层的冷凝实验及机理研究	第63-79页
5.1 引言	第63页
5.2 接触角实验部分	第63-69页
5.2.1 实验与表征	第64-65页
5.2.2 有无结构接触角对比	第65页
5.2.3 不同间距（分形维数）下接触角对比	第65-66页
5.2.4 接触角机理研究	第66-69页
5.3 冷凝实验部分	第69-70页
5.4 冷凝结果与讨论	第70-72页
5.4.1 冷凝自迁移过程分析	第70-71页
5.4.2 环境湿度对冷凝的影响	第71-72页
5.4.3 不同微米结构（分形维数）对冷凝的影响	第72页
5.5 冷凝过程中的机理分析	第72-74页
5.6 不同微米结构间距（分形维数）集水率对比分析	第74-76页
5.7 耐久性测试	第76-77页
5.8 本章小结	第77-79页
第6章结论与展望	第79-81页
6.1 结论	第79页
6.2 创新点	第79-80页
6.3 展望	第80-81页
附录	第81-83页
参考文献	第83-87页
致谢	第87-89页
攻读学位期间参加的科研项目和成果	第89-90页

本篇论文共90页，点击这进入下载页面。

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