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Si/InP晶片低温键合技术的理论分析和实验研究
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Si/InP晶片低温键合技术的理论分析和实验研究
论文目录
 
摘要第1-6 页
Abstract第6-8 页
目录第8-10 页
第一章 绪论第10-15 页
　　· 论文的研究背景和意义第10-13 页
　　· 论文研究内容第13-14 页
　　参考文献第14-15 页
第二章 晶片键合技术第15-27 页
　　· 键合的基本原理第15-17 页
　　· 键合的界面特性第17-21 页
　　　　· 键合强度第17-19 页
　　　　· 界面层与空洞第19 页
　　　　· 界面位错第19-21 页
　　· 键合的应用与研究现状第21-25 页
　　参考文献第25-27 页
第三章 Si/InP晶片低温键合的理论分析第27-47 页
　　· Si/InP异质结的电流电压特性第27-33 页
　　　　· n-Si/n-InP同型异质结的能带第27-28 页
　　　　· n-Si/n-InP异质结势垒高度的修正第28-30 页
　　　　· Si/InP键合异质结的I/V特性第30-33 页
　　· 键合界面的热应力分析第33-38 页
　　　　· 理论分析模型第33-36 页
　　　　· 结构力学分析结果第36-37 页
　　　　· 减少热应力的途径第37-38 页
　　· 外压力对晶片键合的影响第38-45 页
　　　　· 理论模型第39-42 页
　　　　· 数值结果及分析第42-45 页
　　参考文献第45-47 页
第四章 Si/InP晶片低温键合的实验研究第47-63 页
　　· 键合夹具的研制第47-52 页
　　· 低温键合的工艺探索第52-56 页
　　　　· 晶片的表面处理第52-55 页
　　　　· 晶片预键合第55 页
　　　　· 晶片退火处理第55-56 页
　　　　· Si/InP键合工艺:第56 页
　　· 键合晶片I/V特性的实验研究第56-62 页
　　　　· n-Si/n-Si和n-InP/n-InP的I/V曲线第57-58 页
　　　　· n-Si/n-InP的I/V曲线第58-60 页
　　　　· n-GaAs/n-InP的I/V曲线第60-62 页
　　参考文献第62-63 页
致谢第63-64页

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