反熔丝型PROM编程特性与可靠性研究 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-4页 | | Abstract | 第4-8页 | | 第一章绪论 | 第8-14页 | | · 研究背景及意义 | 第8-11页 | | · 非易失性存储器 | 第8-10页 | | · 反熔丝器件 | 第10-11页 | | · 反熔丝PROM | 第11页 | | · 反熔丝PROM发展趋势 | 第11-12页 | | · 栅氧化层反熔丝PROM发展的关键问题和解决方案 | 第12页 | | · 主要工作和内容安排 | 第12-14页 | | 第二章栅氧化层反熔丝PROM存储单元研究和测试电路设计 | 第14-24页 | | · 栅氧化层反熔丝存储单元结构研究 | 第14-18页 | | · 传统 3T单元 | 第14-15页 | | · 2T2C单元 | 第15-16页 | | · 2T单元 | 第16页 | | · 1T单元 | 第16-17页 | | · 改进型 3T单元 | 第17-18页 | | · 栅氧化层反熔丝存储单元编程机理研究 | 第18-21页 | | · 测试电路设计 | 第21-23页 | | · 电路结构设计 | 第21-22页 | | · 测试电路中的存储单元版图设计 | 第22-23页 | | · 测试电路版图设计 | 第23页 | | · 本章小结 | 第23-24页 | | 第三章栅氧化层反熔丝存储单元编程特性研究 | 第24-43页 | | · 存储单元编程电压可行域研究 | 第24-25页 | | · 编程可行域实验方法 | 第24-25页 | | · 实验结果与分析 | 第25页 | | · 结论 | 第25页 | | · 存储单元基于编程电压的编程时间模型 | 第25-30页 | | · 编程时间实验方法和结果 | 第26-27页 | | · 编程时间模型建立 | 第27-28页 | | · 编程时间模型求解与验证 | 第28-30页 | | · 结论 | 第30页 | | · 已编程存储单元性能研究 | 第30-34页 | | · 存储单元编程后性能评估方法 | 第31页 | | · 存储单元编程后性能实验与性能评估 | 第31-33页 | | · 结论 | 第33-34页 | | · 已编程存储单元一致性研究 | 第34-42页 | | · 存储单元编程一致性评估方法 | 第34页 | | · 编程一致性实验方法与结果分析 | 第34-36页 | | · 已编程单元一致性评估 | 第36-42页 | | · 结论 | 第42页 | | · 本章小结 | 第42-43页 | | 第四章栅氧化层反熔丝存储单元可靠性研究 | 第43-73页 | | · 可靠性概述 | 第43-44页 | | · 可靠性评估方法 | 第44-46页 | | · 基于失效时间数据的可靠性评估方法 | 第44-45页 | | · 基于性能退化数据的可靠性评估方法 | 第45-46页 | | · 存储单元稳态寿命研究 | 第46-49页 | | · 存储单元稳态寿命实验方法 | 第46-48页 | | · 存储单元稳态寿命实验结果 | 第48-49页 | | · 存储单元加速寿命研究 | 第49-50页 | | · 存储单元基于性能参数退化的可靠性评估 | 第50-62页 | | · 基于性能参数退化的可靠性评估方法和执行步骤 | 第50-52页 | | · 栅氧化层反熔丝存储单元稳态寿命可靠性评估 | 第52-61页 | | · 结论 | 第61-62页 | | · 存储单元基于性能参数加速退化的可靠性评估 | 第62-71页 | | · 温度加速模型-Arrhenius模型简介 | 第62页 | | · 基于加速退化的可靠性评估方法与步骤 | 第62-64页 | | · 存储单元基于性能参数加速退化的可靠性评估 | 第64-70页 | | · 结论 | 第70-71页 | | · 其他可靠性问题 | 第71页 | | · 本章小结 | 第71-73页 | | 第五章结论与展望 | 第73-75页 | | · 工作总结 | 第73-74页 | | · 新的展望 | 第74-75页 | | 参考文献 | 第75-78页 | | 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第78-79页 | | 致谢 | 第79-81页 |
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