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ZnO基纳米结构阻变式随机存储器

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ZnO基纳米结构阻变式随机存储器
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-8页
1 绪论第8-19页
  · 背景介绍第8页
  · 研究热点第8-13页
    · 铁电存储器(FeRAM)第8-10页
    · 磁存储器(MRAM)第10-11页
    · 相变存储器(PCRAM)第11-12页
    · 阻变存储器(ReRAM)第12-13页
  · 机制介绍第13-16页
    · 灯丝理论第14页
    · 导电通道理论(Conducting path)第14-15页
    · Charge-trap in small domains第15-16页
  · 发展前景第16-18页
  · 本论文的意义和内容第18-19页
2 PS 微球调制对 Pt/IGZO/Al 结构器件 reset 过程的影响第19-24页
  · 前言第19页
  · 实验第19页
  · 结果与讨论第19-23页
    · 器件的电学特性表征第19-23页
    · 机制的讨论第23页
  · 本章小结第23-24页
3 ZnO 纳米线/有机物柔性阻变式随机存储器第24-29页
  · 前言第24页
  · 实验第24-25页
  · 结果与讨论第25-28页
    · ZnO 纳米线表征第25页
    · 器件的电学特性表征第25-26页
    · 机制的讨论第26-27页
    · 器件的柔性特性第27-28页
  · 本章小结第28-29页
4 结论第29-30页
5 参考文献第30-35页
6 致谢第35 页

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