基于FINFET工艺的ASIC后端物理设计



基于FINFET工艺的ASIC后端物理设计

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基于FINFET工艺的ASIC后端物理设计

论文目录
摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
符号对照表	第10-11页
缩略语对照表	第11-14页
第一章绪论	第14-16页
· 课题背景	第14-15页
· 课题来源	第15页
· 论文结构	第15-16页
第二章 FINFET版图及特性的分析	第16-22页
· 短沟道效应及其影响	第16-18页
· FINFET版图	第18-19页
· FINFET特性	第19-20页
· 本章小结	第20-22页
第三章后端设计流程及其建立	第22-28页
· 后端流程化设计的研究	第22-23页
· EDA工具及相关文件	第23-27页
· 本章小结	第27-28页
第四章基于FINFET工艺的后端设计	第28-66页
· 后端设计流程建立	第28-29页
· 布图规划	第29-41页
· 设计模块的大小规划	第29-30页
· 模块内硬核的布放	第30-33页
· 模块的电源规划	第33-41页
· 布局规划	第41-51页
· 特殊物理单元布局	第41-43页
· 标准单元布局	第43-47页
· 扫描链重组	第47-51页
· 时钟树综合	第51-57页
· 时钟定义及设置	第52-53页
· 时钟网络设计	第53-57页
· 模块布线规划	第57-64页
· 布线规划	第58页
· 设计规则检查和可制造性检查	第58-61页
· 双重曝光技术及其设计规则问题	第61-64页
· 本章总结	第64-66页
第五章 ECO阶段的时序与功耗分析	第66-78页
· 静态时序分析及修复	第66-75页
· 模块的功耗分析	第75-77页
· 本章总结	第77-78页
第六章总结与展望	第78-80页
· 论文总结	第78-79页
· 课题展望	第79-80页
参考文献	第80-82页
致谢	第82-84页
作者简介	第84-85页

本篇论文共85页，点击这进入下载页面。

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