论文目录 | |
| 摘要 | 第1-5
页 |
| Abstract | 第5-9
页 |
| 第一章 前言 | 第9-20
页 |
| · 稀磁半导体 | 第9-13
页 |
| · 稀磁半导体的概述 | 第9-10
页 |
| · 稀磁半导体的性质 | 第10-12
页 |
| · 稀磁半导体的研究进程 | 第12-13
页 |
| · 纳米材料 | 第13-17
页 |
| · 关于纳米材料的概念及性质 | 第13-15
页 |
| · 关于SnO_2一维纳米材料 | 第15-17
页 |
| · 本研究的动机和意义 | 第17-18
页 |
| 参考文献 | 第18-20
页 |
| 第二章 稀磁半导体的磁学性质理论 | 第20-26
页 |
| · 稀磁半导体的磁性来源模型 | 第20-22
页 |
| · 双交换作用模型 | 第20-21
页 |
| · Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida(RKKY)交换作用模型 | 第21
页 |
| · 束缚磁极化子模型(BMP) | 第21-22
页 |
| · 稀磁半导体中的主要交换相互作用 | 第22-25
页 |
| · d-d交换作用 | 第22-23
页 |
| · sp-d交换作用 | 第23-25
页 |
| 参考文献 | 第25-26
页 |
| 第三章 样品的制备和测试手段 | 第26-32
页 |
| · 化学气相沉积法 | 第26-28
页 |
| · 化学气相沉积法基本原理 | 第26
页 |
| · 化学气相沉积法的主要生长机理 | 第26-28
页 |
| · 样品的测试手段 | 第28-31
页 |
| · 扫描电镜(SEM)和X射线能量色散谱(EDS)[4-5] | 第28
页 |
| · X射线衍射(XRD)[6-7] | 第28
页 |
| · 光电子能谱(XPS)[8] | 第28-29
页 |
| · 透射电镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)[9] | 第29
页 |
| · 拉曼光谱(RAMAN)[10] | 第29
页 |
| · 光致发光谱(PL)[11] | 第29-30
页 |
| · 振动样品磁强计(VSM)[12] | 第30
页 |
| · 超导量子干涉磁强计(SQUID) | 第30-31
页 |
| 参考文献: | 第31-32
页 |
| 第四章 SnO_2和Mn_xSn_(1-x)O_2一维纳米结构的制备和表征 | 第32-51
页 |
| · 样品的制备 | 第32-33
页 |
| · 实验结果与讨论 | 第33-48
页 |
| · 扫描电子显微镜(SEM)与X射线能量色散谱(EDS)研究 | 第33-36
页 |
| · X射线衍射(XRD)分析 | 第36-38
页 |
| · 光电子谱(XPS)分析 | 第38-39
页 |
| · 高分辨透射电镜(HRTEM)及选区电子衍射(SAED)分析 | 第39-40
页 |
| · 拉曼散射(Raman)分析 | 第40-43
页 |
| · 光致发光(PL)分析 | 第43-46
页 |
| · 超导量子干涉仪(SQUID)分析 | 第46-48
页 |
| · 结论 | 第48-49
页 |
| 参考文献 | 第49-51
页 |
| 第五章 SnO_2和Mn_xSn_(1-x)O_2一维纳米结构的生长机理研究 | 第51-57
页 |
| · 样品的生长机理 | 第51-52
页 |
| · SnO_2一维纳米结构的VLS生长机理 | 第51
页 |
| · Mn_xSn_(1-x)O_2一维纳米结构的VS生长机理 | 第51-52
页 |
| · Mn_xSn_(1-x)O_2纳米线VS生长机理的详细分析 | 第52-55
页 |
| · SEM数据分析 | 第52-53
页 |
| · XRD数据分析 | 第53-54
页 |
| · RAMAN数据分析 | 第54
页 |
| · PL数据分析 | 第54-55
页 |
| · 结论 | 第55-56
页 |
| 参考文献 | 第56-57
页 |
| 第六章 结论 | 第57-58
页 |
| 附录 | 第58-59
页 |
| 致谢 | 第59页 |
