硅纳米团簇的结构稳定性及电子性质的第一性原理研究
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硅纳米团簇的结构稳定性及电子性质的第一性原理研究
论文目录
摘要
第1-6页
ABSTRACT
第6-9页
第一章 绪论
第9-15页
· 半导体纳米团簇简介
第9-11页
· 量子限制效应
第9-10页
· 表面效应
第10-11页
· 硅纳米团簇
第11-13页
· 硅纳米团簇的应用前景
第11-12页
· 国内外研究现状
第12-13页
· 研究基础
第13页
· 本论文的研究内容及方法
第13-15页
第二章 计算方法与理论基础
第15-23页
· 引言
第15页
· 绝热近似
第15-17页
· 单电子近似(Hartree-Fock 近似)
第17-18页
· 密度泛函理论
第18-21页
· Kohn-Sham 方程
第19-20页
· 局域密度近似
第20-21页
· 广义梯度近似
第21页
· 赝势方法
第21-22页
· 计算软件 VASP 简介
第22-23页
第三章 氢饱和硅纳米团簇结构稳定性和电子性质的的理论研究:尺寸、形状和表面重构
第23-35页
· 研究背景简介
第23-24页
· 计算细节
第24-25页
· 结果与讨论
第25-33页
· 具有小 H/Si 比的 H-SiNCs 结构
第25-28页
· H-SiNCs 的结构稳定性
第28-31页
· H-SiNCs 结构的电子性质
第31-33页
· 小结
第33-35页
第四章 通过表面悬挂键及分子吸附对硅纳米团簇导电性的调控
第35-44页
· 研究背景简介
第35-36页
· 计算细节
第36页
· 结果与讨论
第36-43页
· 表面悬挂键的非对称性掺杂
第36-39页
· 悬挂键与分子吸附的共同作用
第39-43页
· 小结
第43-44页
第五章 总结与展望
第44-48页
· 总结
第44页
· 展望
第44-48页
· 激发态带隙
第45-46页
· sp~2与 sp~3杂化共存的团簇
第46-48页
参考文献
第48-54页
攻读硕士学位期间取得的研究成果
第54-55页
致谢
第55-56页
附件
第56 页
本篇论文共
56
页,
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。
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