论文目录 | |
| 摘要 | 第1-3
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| ABSTRACT | 第3-10
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| 1 绪论 | 第10-12
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| · 引言 | 第10-11
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| · 论文的结构 | 第11-12
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| 2 ESD 保护的研究 | 第12-28
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| · ESD 常见的模型 | 第12-15
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| · 人体模型（HBM ，Human Body Model） | 第12
页 |
| · 机器模型(MM，Machine Mode) | 第12-13
页 |
| · 充电器件模型(CDM，Charge Device Model) | 第13-14
页 |
| · 三种模型的比较 | 第14-15
页 |
| · ESD 的测试方法 | 第15-17
页 |
| · HBM 的测试 | 第15-16
页 |
| · CDM 的测试 | 第16-17
页 |
| · ESD 保护电路的原理 | 第17-18
页 |
| · ESD 常用保护器件 | 第18-21
页 |
| · 二极管(diode) | 第18-19
页 |
| · 栅极接地MOS 管(GGNMOS,Gate-Ground NMOSFET) | 第19-20
页 |
| · 栅极耦合MOS 管(GCNMOS,Gate-Coupled NMOSFET) | 第20-21
页 |
| · ESD 典型的设计结构 | 第21-23
页 |
| · ESD 电流通路 | 第23-28
页 |
| · PS 模式下PAD, VSS 之间的ESD 低阻旁路 | 第23-24
页 |
| · NS 模式下VSS，PAD 之间ESD 低阻旁路 | 第24
页 |
| · PD 模式下PAD，VDD 之间ESD 低阻旁路 | 第24-25
页 |
| · ND 模式下VDD，PAD 之间ESD 低阻旁路 | 第25-26
页 |
| · VDD，VSS 之间ESD 低阻旁路 | 第26-27
页 |
| · 电源线之间ESD 低阻旁路 | 第27
页 |
| · PAD，PAD 之间ESD 低阻旁路 | 第27-28
页 |
| 3 对现有的库进行面积压缩 | 第28-32
页 |
| · 对现有的I/O 单元库进行压缩的可行性分析 | 第28
页 |
| · 完整的单元库中输出驱动级与ESD 保护结构 | 第28-30
页 |
| · 压缩I/O 单元库的电路设计 | 第30-32
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| · 对IO 单元输出驱动部分面积的缩小 | 第30-32
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| 4 由于IO 单元的噪声控制电路的设计 | 第32-41
页 |
| · 电源线噪声产生的原理 | 第32
页 |
| · IO 单元库中电源噪声控制电路的设计 | 第32-41
页 |
| · 压缩后的IO库与压缩前IO设计参数的比较 | 第33-35
页 |
| · SSO（Simultaneously Switching Outputs）模拟的基本原理和结果比较 | 第35-40
页 |
| · Sso 结果比较 | 第40
页 |
| · 在弃用两条电源线后的IO 库ESD 防护网路 | 第40-41
页 |
| 5 对现有的库进行面积压缩的版图设计 | 第41-49
页 |
| · 对版图布局的设计 | 第41-44
页 |
| · 版图层次结构设计 | 第44-48
页 |
| · 版图层次 | 第44-46
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| · 放置PAD相关版图 | 第46
页 |
| · 大尺寸的 NMOS 管 | 第46-47
页 |
| · Pre-driver 部分的版图设计 | 第47-48
页 |
| · 改建 IO 库前后版图尺寸的对比 | 第48-49
页 |
| 6 结论 | 第49-50
页 |
| 参考文献 | 第50-51
页 |
| 附录1 VOH 的HSPICE 输入文件 | 第51-53
页 |
| 附录2 VOL 的HSPICE 输入文件 | 第53-55
页 |
| 附录3 IOH 的HSPICE 输入文件 | 第55-57
页 |
| 附录4 IOL 的HSPICE 输入文件 | 第57-59
页 |
| 附录5 对IOCELL 上升下降时间以及CELL DELAY 时间的测试输入文件 | 第59-62
页 |
| 致谢 | 第62-63
页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第63-66
页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第66
页 |
