金属/SiC接触界面的氢等离子体改性研究



金属/SiC接触界面的氢等离子体改性研究

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金属/SiC接触界面的氢等离子体改性研究

论文目录
摘要	第1-5 页
Abstract	第5-8 页
1 绪论	第8-15 页
· 课题的研究背景及意义	第8-11 页
· SiC金半接触表面改性的国内外研究现状	第11-13 页
· 本文的研究思想和内容	第13-15 页
2 ECR-PEMOCVD系统及等离子体反应机理	第15-23 页
· ECR-PEMOCVD系统	第15-19 页
· ECR等离子体产生的原理	第15 页
· 耦合多极ECR等离子体装置及ECR放电特点	第15-19 页
· 氢等离子体反应机理	第19-20 页
· 影响等离子体处理效果的因素	第20-22 页
· 流量和功率	第20-22 页
· 温度和时间	第22 页
· 本章小结	第22-23 页
3 4H-SiC金半接触的势垒和电流输运理论及分析	第23-45 页
· 金属/SiC的电流输运过程	第23-29 页
· 热电子发射理论	第24-26 页
· 隧穿电流	第26-29 页
· 金属和一般半导体的势垒形成	第29-36 页
· 肖特基—莫特理论	第29-31 页
· 丁模型	第31-33 页
· 通用的肖特基势垒模型	第33-36 页
· 金属/4H-SiC的势垒形成和分析	第36-40 页
· 金属/4H-SiC接触势垒变化的能带解释	第40-43 页
· 金属功函数小于临界值的情况	第41-42 页
· 金属功函数大于临界值的情况	第42-43 页
· 本章小结	第43-45 页
4 Pt/4H-SiC表面氢等离子体处理及效果	第45-51 页
· 实验过程	第45 页
· 处理前后Pt/4H-SiC整流特性的变化	第45-46 页
· Pt/4H-SiC势垒和界面态密度计算	第46-49 页
· 本章小结	第49-51 页
5 4H-SiC氢等离子体表面处理及表面态计算	第51-59 页
· SiC表面态表征和计算理论	第51-55 页
· XPS表征SiC表面势	第55-56 页
· 实验过程及表面态计算	第56-58 页
· 本章小结	第58-59 页
结论	第59-60 页
参考文献	第60-63 页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况	第63-64 页
致谢	第64-66 页

本篇论文共66页，点击这进入下载页面。

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