论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第8-11页 |
Contents | 第11-14页 |
第一章 绪论 | 第14-30页 |
1.1 太阳能电池概述 | 第14-20页 |
1.1.1 太阳能电池研究背景及意义 | 第14-15页 |
1.1.2 太阳能电池的工作原理 | 第15-16页 |
1.1.3 太阳能电池的发展历程及现状 | 第16-17页 |
1.1.4 太阳能电池的分类和特点 | 第17-20页 |
1.2 CIGS薄膜太阳能电池特点和发展历程及现状 | 第20-22页 |
1.2.1 CIGS电池的特点 | 第20-21页 |
1.2.2 CIGS电池的发展历程及研究现状 | 第21-22页 |
1.3 CIGS电池的基本结构和制备工艺 | 第22-23页 |
1.4 CIGS薄膜太阳能电池材料简介 | 第23-28页 |
1.4.1 CIGS电池电极 | 第23-24页 |
1.4.2 CIGS电池吸收层 | 第24-27页 |
1.4.3 CIGS电池缓冲层 | 第27页 |
1.4.4 CIGS电池窗口层 | 第27-28页 |
1.5 本论文的研究目标和主要工作 | 第28-30页 |
第二章 CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2吸收层的制备和性能分析 | 第30-54页 |
2.1 引言 | 第30页 |
2.2 衬底的选择及清洗 | 第30-31页 |
2.3 Mo背电极层的制备和性能分析 | 第31-33页 |
2.3.1 Mo背电极的制备 | 第31-32页 |
2.3.2 Mo膜的性能分析 | 第32-33页 |
2.4 CuInSe_2吸收层的制备及性能分析 | 第33-46页 |
2.4.1 CuIn预制层的制备 | 第33-37页 |
2.4.2 硒化工艺对CuInSe_2薄膜性能影响 | 第37-43页 |
2.4.3 预置层中Cu/In原子比对CuInSe_2薄膜性能的影响 | 第43-46页 |
2.5 Cu(In,Ga)Se_2薄膜的制备与表征 | 第46-52页 |
2.5.1 CuInGa预制层的制备与表征 | 第46-48页 |
2.5.2 CuInGa预制层的硒化 | 第48-49页 |
2.5.3 Cu(In,Ga)Se_2薄膜性能分析 | 第49-52页 |
2.6 本章小结 | 第52-54页 |
第三章 CdS缓冲层的制备和性能研究 | 第54-78页 |
3.1 引言 | 第54页 |
3.2 化学水浴沉积法简介 | 第54-55页 |
3.3 化学水浴法制备CdS薄膜的形成机理 | 第55-56页 |
3.4 化学水浴法制备CdS薄膜 | 第56-61页 |
3.4.1 实验仪器 | 第56-57页 |
3.4.2 实验材料 | 第57-58页 |
3.4.3 CdS薄膜的制备 | 第58-60页 |
3.4.4 表征方法 | 第60-61页 |
3.5 工艺条件对CdS薄膜性能的影响 | 第61-76页 |
3.5.1 氨水浓度对CdS薄膜性能的影响 | 第61-67页 |
3.5.2 硫脲浓度对CdS薄膜性能的影响 | 第67-71页 |
3.5.3 氯化铵浓度对CdS薄膜性能的影响 | 第71-74页 |
3.5.4 沉积温度对CdS薄膜性能的影响 | 第74-76页 |
3.6 本章小结 | 第76-78页 |
第四章 新型ZnSe缓冲层的制备和性能研究 | 第78-103页 |
4.1 引言 | 第78-79页 |
4.2 ZnSe薄膜的形成机理分析 | 第79-80页 |
4.3 化学水浴法制备ZnSe薄膜 | 第80-84页 |
4.3.1 实验仪器 | 第80页 |
4.3.2 实验材料 | 第80-81页 |
4.3.3 化学水浴法制备ZnSe薄膜 | 第81-84页 |
4.3.4 表征方法 | 第84页 |
4.4 工艺条件对ZnSe薄膜性能的影响 | 第84-101页 |
4.4.1 氨水浓度对ZnSe薄膜性能的影响 | 第84-88页 |
4.4.2 水合肼浓度对ZnSe薄膜性能的影响 | 第88-92页 |
4.4.3 硫酸锌浓度对ZnSe薄膜性能的影响 | 第92-96页 |
4.4.4 沉积温度对ZnSe薄膜性能的影响 | 第96-99页 |
4.4.5 沉积时间对ZnSe薄膜性能的影响 | 第99-101页 |
4.5 本章小结 | 第101-103页 |
总结与展望 | 第103-108页 |
特色与创新之处 | 第108-109页 |
参考文献 | 第109-119页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第119-120页 |
参加的项目和成果 | 第120-122页 |
致谢 | 第122页 |