从硅晶圆原材料角度对FSG气泡现象的有效预防

从硅晶圆原材料角度对FSG气泡现象的有效预防

论文目录
目录	第1-3页
摘要	第3-4页
Abstract	第4-5页
引言	第5-6页
第一章半导体制程简介	第6-12页
第一节半导体制造流程	第6-8页
第二节硅晶圆材料特性及其应用	第8-10页
第三节薄膜制程简介	第10页
第四节高密度等离子体化学气相沉积HDP-CVD	第10-12页
第二章 FSG制程及各项参数对FSG性能的影响	第12-16页
第一节 Low K材料简介	第12-13页
第二节 FSG材料简介	第13-14页
第三节 HDP反应腔体	第14-15页
第四节沉积温度对FSG的影响	第15-16页
第三章晶圆材料工艺介绍	第16-19页
第一节影响背面参数的工艺	第16-17页
第二节研磨程度	第17页
第三节蚀刻方式	第17-19页
第四章晶圆材料对HDP FSG制程的影响	第19-27页
第一节 HDP反应原理	第19-20页
第二节 HDP腔体冷却系统	第20-21页
第三节晶圆温度测量	第21-22页
第四节晶圆材料背面光亮度对HDP cahmber的作用机理	第22-26页
第五节 FSG气泡的产生及其危害	第26-27页
第五章控制原材料的影响预防FSG气泡	第27-31页
第一节控制硅晶圆背面光亮度的方法	第28-29页
第二节设计系统反馈	第29-31页
总结	第31-32页
参考文献目录	第32-33页
致谢	第33-34页

本篇论文共34页，点击这进入下载页面。

FSG论文 fluorinated.silicate-glass掺氟硅玻璃Bubble defect Intermetal Dielectric金属间介电材质层
版权申明：目录由用户liweih**提供，www.51papers.com仅收录目录，作者需要删除这篇论文目录请点击这里。
\| 设为首页\|\|加入收藏\|\|站内搜索引擎\|\|站点地图\|\|在线购卡\|
版权所有教育论文网 Copyright(C) All Rights Reserved