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薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化
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薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化
论文目录
 
摘要第1-5 页
Abstract第5-9 页
1 绪论第9-13 页
　　· SOI 简介第9 页
　　· SOI 的分类及其特点第9-10 页
　　· SOI 的应用现状及前景第10-12 页
　　· 本文的研究意义及主要内容第12-13 页
2 结构建立与物理模型选取第13-26 页
　　· 结构模型的建立第13-15 页
　　　　· 结构模型考虑第13-14 页
　　　　· 结构参数的选取第14-15 页
　　　　　　a. 亚阈值特性考虑第14 页
　　　　　　b. 阈值电压考虑第14 页
　　　　　　c. CMOS 倒相器最佳化设计考虑第14-15 页
　　· 模拟方法第15-16 页
　　　　· 模拟软件简介第15-16 页
　　　　· 模拟方法第16 页
　　· 物理模型的选取第16-25 页
　　　　· 流体力学能量输运模型第17-18 页
　　　　· 量子学模型第18-19 页
　　　　· 迁移率模型第19-22 页
　　　　　　a.表面迁移率第20 页
　　　　　　b. 体迁移率第20-22 页
　　　　· 载流子复合模型第22-24 页
　　　　· 载流子产生模型第24-25 页
　　· 本章小结第25-26 页
3 SOI CMOS 倒相器高温特性研究第26-38 页
　　· 单管的高温特性分析第26-35 页
　　　　· 温度对漏源输出特性的影响第26-33 页
　　　　　　a 浮体效应第26-29 页
　　　　　　b 自加热效应第29-33 页
　　　　· 温度对泄漏电流的影响第33-35 页
　　· SOI CMOS 倒相器的高温特性分析第35-37 页
　　　　· 温度对电压传输特性的影响第35-36 页
　　　　· 温度对瞬态特性的影响第36-37 页
　　· 本章小结第37-38 页
4 SOI CMOS 倒相器的优化设计第38-51 页
　　· 参数优化第38-41 页
　　　　· 隐埋氧化层厚度第38-39 页
　　　　· 顶层硅膜厚度第39-40 页
　　　　· 源漏区掺杂浓度第40-41 页
　　· DSOI 结构第41-50 页
　　　　· 开口对器件性能的影响第42-46 页
　　　　　　a 开口位置的影响第42-45 页
　　　　　　b 开口大小的影响第45-46 页
　　　　· 优化结果第46-50 页
　　· 本章小结第50-51 页
5 AlN-DSOI 新结构的提出第51-56 页
　　· 改进的AlN-DSOI 结构第51-52 页
　　· AlN-DSOI 结构的实现工艺探索第52-53 页
　　　　· AlN 薄膜窗口制备第52 页
　　　　· 形成AlN-DSOI 结构第52-53 页
　　· 三种SOI 结构的特性比较第53-55 页
　　· 本章小结第55-56 页
6 结论第56-57 页
致谢第57-58 页
参考文献第58-62 页
附录第62 页

本篇论文共62页，点击这进入下载页面。
 
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