深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究



深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究

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深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究

论文目录
摘要	第1-5 页
Abstract	第5-9 页
1 绪论	第9-14 页
· SOI结构及特点	第9-10 页
· SOI器件的应用及发展近况	第10-11 页
· 模型参数提取的意义	第11-12 页
· 本文的研究的主要内容及安排	第12-14 页
2 器件结构与器件模型	第14-32 页
· 模拟方法及软件介绍	第14-16 页
· 模拟方法	第14-15 页
· 模拟软件	第15-16 页
· 结构模型的建立	第16-21 页
· 基本结构的建立	第16-18 页
· 结构参数的选取	第18-21 页
· 物理模型选取	第21-24 页
· 能量输运模型	第21-23 页
· 迁移率模型	第23 页
· 载流子复合模型	第23-24 页
· 载流子产生模型	第24 页
· 深亚微米SOI MOSFET器件模型	第24-31 页
· 短沟道全耗尽阈值电压模型	第25-27 页
· 短沟道全耗尽亚阈值模型	第27-28 页
· 短沟道全耗尽二级物理效应模型	第28-29 页
· 浮体效应和自加热效应模型	第29-31 页
· 本章小结	第31-32 页
3 SOI MOSFET参数提取	第32-53 页
· 基本原理	第32-33 页
· 参数提取思想	第32-33 页
· 最优化策略	第33 页
· 提取策略	第33 页
· 最优化运算法则	第33-35 页
· 传统参数提取	第35-38 页
· 参数提取流程	第36-37 页
· 最优化过程	第37-38 页
· 本文参数提取	第38-52 页
· 采集 IV特性曲线数据	第40-45 页
· 参数提取过程	第45-48 页
· 参数提取程序	第48-52 页
· 本章小结	第52-53 页
4 SOI MOSFET参数验证	第53-61 页
· 参数验证	第53-59 页
· 误差报告	第59-60 页
· 本章小结	第60-61 页
5 结论	第61-63 页
致谢	第63-64 页
参考文献	第64-67 页
附录	第67 页

本篇论文共67页，点击这进入下载页面。

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