论文目录 | |
| 摘要 | 第1-4
页 |
| Abstract | 第4-7
页 |
| 1 引言 | 第7-10
页 |
| · 研究背景 | 第7-9
页 |
| · 本文的主要研究工作 | 第9-10
页 |
| 2 半导体材料的发展与分类 | 第10-14
页 |
| · 半导体材料的发展 | 第10-11
页 |
| · 半导体材料的分类 | 第11-14
页 |
| · 元素半导体 | 第11-12
页 |
| · 二元化合物半导体 | 第12
页 |
| · 氧化物半导体 | 第12
页 |
| · 固溶体半导体 | 第12-14
页 |
| 3 纳米材料与半导体纳米材料 | 第14-25
页 |
| · 纳米材料概述 | 第14
页 |
| · 纳米材料的特殊效应 | 第14-16
页 |
| · 量子尺寸效应 | 第15
页 |
| · 小尺寸效应 | 第15-16
页 |
| · 表面效应 | 第16
页 |
| · 宏观量子隧道效应 | 第16
页 |
| · 纳米材料的特殊性质 | 第16-19
页 |
| · 光学性能 | 第16-17
页 |
| · 热学性能 | 第17
页 |
| · 电学性能 | 第17
页 |
| · 磁学性能 | 第17-18
页 |
| · 力学性能 | 第18
页 |
| · 化学特性 | 第18-19
页 |
| · 纳米材料的制备方法 | 第19-20
页 |
| · 气相法 | 第19
页 |
| · 液相法 | 第19-20
页 |
| · 固相法 | 第20
页 |
| · 纳米材料的分析表征技术 | 第20-24
页 |
| · X射线衍射分析术 | 第20-22
页 |
| · 透射电子显微镜(TEM)术和电子衍射图(SAED) | 第22
页 |
| · X射线光电子能谱分析(XPS) | 第22-23
页 |
| · 紫外-可见吸收光谱法 | 第23-24
页 |
| · 半导体纳米材料 | 第24-25
页 |
| 4 半导体CdS_(1-x)Se_x纳米材料的制备 | 第25-36
页 |
| · 半导体CdS_(1-x)Se_x纳米材料制备的实验过程 | 第25-26
页 |
| · 试剂与仪器 | 第25
页 |
| · 制备过程 | 第25-26
页 |
| · 半导体CdS_(1-x)Se_x纳米材料的外观特征 | 第26-27
页 |
| · 半导体CdS_(1-x)Se_x纳米材料的XRD表征 | 第27-29
页 |
| · CdS的XRD表征 | 第27-28
页 |
| · CdSe的XRD表征 | 第28
页 |
| · CdS_(1-x)Se_x的XRD表征 | 第28-29
页 |
| · 产物的X光电子能谱(XPS)分析 | 第29-32
页 |
| · 半导体固溶体CdS_(1-x)Se_x的透射电镜显微照片(TEM)和选区衍射图(SAED) | 第32-35
页 |
| · 反应过程机理分析 | 第35
页 |
| · 小结 | 第35-36
页 |
| 5 CdS_(1-x)Se_x纳米材料的晶格常数、带隙与组分x之间的关系 | 第36-44
页 |
| · 晶格常数的确定 | 第37-38
页 |
| · 晶格常数与组分之间的关系 | 第38-39
页 |
| · 紫外-可见吸收光谱的测量与分析 | 第39-42
页 |
| · 紫外-可见吸收光谱的测量 | 第39-40
页 |
| · CdS的吸收光谱 | 第40
页 |
| · CdSe的紫外-可见吸收光谱 | 第40-41
页 |
| · CdS_(1-x)Se_x纳米材料的紫外-可见吸收光谱 | 第41-42
页 |
| · 小结 | 第42-44
页 |
| 6 总结 | 第44-45
页 |
| 致谢 | 第45-46
页 |
| 参考文献 | 第46-52
页 |
| 附录: | 第52
页 |
| 在职攻读硕士期间发表的论文: | 第52
页 |
