甚大规模集成电路制备中硅衬底精密抛光的研究



甚大规模集成电路制备中硅衬底精密抛光的研究

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甚大规模集成电路制备中硅衬底精密抛光的研究

论文目录
第一章绪论	第1-12 页
§1-1 选题的背景	第7-8 页
§1-2 硅衬底抛光的发展与现状	第8-11 页
1-2-1 硅衬底抛光的发展状况	第8-11 页
1-2-2 CMP市场分析	第11 页
§1-3 本课题完成的工作	第11-12 页
第二章硅衬底化学机械抛光机理分析	第12-19 页
§2-1 边缘抛光	第12-13 页
§2-2 硅衬底表面抛光过程分析	第13-19 页
2-2-1 抛光的动力学过程	第13-14 页
2-2-2 硅晶片抛光机理	第14-16 页
2-2-3 抛光设备	第16-19 页
第三章影响抛光速率及抛光片表面质量的因素	第19-30 页
§3-1 pH值的影响	第19-20 页
3-1-1 pH值的影响	第19 页
3-1-2 pH值的选择实验	第19-20 页
§3-2 温度的影响	第20-21 页
§3-3 压力的影响	第21-22 页
§3-4 SiO_2浓度对抛光速度与质量的影响	第22-23 页
§3-5 硅片晶向的影响	第23 页
§3-6 流量的影响	第23 页
§3-7 转盘的旋转速度	第23-24 页
§3-8 抛光垫的影响	第24-26 页
§3-9 磨料粒径的大小和抛光垫对硅晶片表面粗糙度的影响	第26-27 页
§3-10 粘片工艺的影响	第27-30 页
第四章精抛光液配方的研究	第30-44 页
§4-1 精抛液中磨料的选择	第30-31 页
§4-2 碱的选择	第31-33 页
§4-3 活性剂的选择	第33-41 页
4-3-1 优先吸附模型	第33-36 页
4-3-2 表面活性剂的选择	第36-41 页
§4-4 螯合剂的选择	第41 页
§4-5 实验部分	第41-44 页
第五章硅衬底精抛后的清洗	第44-50 页
§5-1 颗粒吸附状态	第44-45 页
§5-2 硅衬底精抛后的清洗	第45-50 页
第六章抛光硅晶片表面质量的检测	第50-56 页
§6-1 抛光硅片表面质量与抛光工艺技术	第50-52 页
§6-2 常见的平坦度参数及其意义	第52-53 页
§6-3 对抛光雾的研究实验	第53-56 页
结论	第56-57 页
参考文献	第57-60 页
致谢	第60-61 页
攻读学位期间所取得的相关科研成果	第61 页

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