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掺碳纳米管的CuO/SnO2纳米膜对H2S的气敏特性研究

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掺碳纳米管的CuO/SnO2纳米膜对H2S的气敏特性研究
论文目录
 
中文摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第1章 绪论第9-21页
  1.1 课题研究背景及研究意义第9-10页
  1.2 纳米材料简介第10-14页
    1.2.1 纳米效应第10-11页
    1.2.2 SnO_2纳米材料简介第11-12页
    1.2.3 CuO纳米材料简介第12-13页
    1.2.4 碳纳米管简介第13-14页
  1.3 SnO_2研究现状及发展趋势第14-19页
    1.3.1 SnO_2气体传感器研究现状第14-16页
    1.3.2 SnO_2制备方法研究现状第16-17页
    1.3.3 掺杂SnO_2研究现状第17-19页
  1.4 论文研究的主要内容第19-20页
  1.5 本章小结第20-21页
第2章 传感器的敏感机理第21-30页
  2.1 几种典型气敏机理第21-23页
    2.1.1 晶界势垒模型第21-22页
    2.1.2 表面空间电荷模型第22页
    2.1.3 吸脱附模型第22页
    2.1.4 氧离子化模型第22-23页
  2.2 金属氧化物气敏机理第23-25页
    2.2.1 金属氧化物薄膜理论第23-24页
    2.2.2 电子在金属氧化物薄膜中输运第24-25页
  2.3 CuO/SnO_2气敏机理第25-29页
    2.3.1 CuO的掺杂对薄膜电阻的影响第25-26页
    2.3.2 CuO/SnO_2对H_2S的机理分析第26-27页
    2.3.3 掺杂碳纳米管的CuO/SnO_2气敏机制第27-29页
  2.4 本章小结第29-30页
第3章 CuO/SnO_2薄膜的制备与表征第30-43页
  3.1 溶胶-凝胶法第30-31页
    3.1.1 溶胶-凝胶法基本原理第30页
    3.1.2 溶胶-凝胶法制备工艺第30-31页
    3.1.3 溶胶-凝胶法优缺点第31页
  3.2 主要试剂和仪器第31-32页
    3.2.1 主要试剂第31-32页
    3.2.2 主要仪器第32页
  3.3 两种方法制备CuO/SnO_2薄膜第32-37页
    3.3.1 第一种溶胶的制备第32-34页
    3.3.2 第二种溶胶的制备第34-35页
    3.3.3 衬底预处理第35-36页
    3.3.4 薄膜的涂覆第36-37页
    3.3.5 薄膜的干燥预处理第37页
    3.3.6 薄膜退火第37页
  3.4 CuO/SnO_2薄膜表征第37-42页
    3.4.1 SEM分析第37-40页
    3.4.2 XRD分析第40-42页
  3.5 本章小结第42-43页
第4章 掺杂碳纳米管的Cu O/SnO_2薄膜的制备与表征第43-50页
  4.1 主要试剂和仪器第43-44页
    4.1.1 主要试剂第43页
    4.1.2 主要仪器第43-44页
  4.2 碳纳米管的酸化及表征第44-46页
    4.2.1 碳纳米管的酸化第44-45页
    4.2.2 碳纳米管的SEM表征第45-46页
    4.2.3 碳纳米管的XRD表征第46页
  4.3 掺杂碳纳米管的CuO/SnO_2薄膜的制备及表征第46-49页
    4.3.1 掺碳纳米管的CuO/SnO_2制备过程第46-48页
    4.3.2 掺碳纳米管的CuO/SnO_2的SEM表征第48-49页
    4.3.3 掺碳纳米管的CuO/SnO_2的XRD表征第49页
  4.4 本章小结第49-50页
第5章 CuO/SnO_2薄膜气敏测试第50-61页
  5.1 气敏元件的制备第50-51页
  5.2 气敏测试系统第51-52页
  5.3 气敏元件的测试参数第52-54页
    5.3.1 灵敏度第52-53页
    5.3.2 最佳工作温度第53页
    5.3.3 气体选择性第53页
    5.3.4 响应和恢复时间第53-54页
  5.4 气敏性能测试第54-60页
    5.4.1 各种气敏材料初始电阻第54页
    5.4.2 最佳工作温度测试第54-55页
    5.4.3 掺杂CuO的SnO_2气敏性能测试第55-56页
    5.4.4 掺杂碳纳米管的CuO/SnO_2气敏性能测试第56-57页
    5.4.5 碳纳米管超声分散对气敏性能的影响第57-58页
    5.4.6 掺杂碳纳米管的CuO/SnO_2气体选择性测试第58-59页
    5.4.7 掺杂碳纳米管的CuO/SnO_2响应和恢复时间的测试第59-60页
  5.5 本章小结第60-61页
结论第61-63页
参考文献第63-70页
致谢第70页

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