论文目录 | |
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第1章 绪论 | 第9-21页 |
1.1 研究背景 | 第9-11页 |
1.2 透明导电薄膜概述 | 第11-14页 |
1.2.1 ITO透明导电薄膜的结构 | 第11-12页 |
1.2.2 ITO薄膜的光学性能与透明机理 | 第12-13页 |
1.2.3 ITO薄膜的电学性能与导电机理 | 第13-14页 |
1.3 薄膜的制备方法 | 第14-15页 |
1.3.1 磁控溅射法 | 第14页 |
1.3.2 真空蒸镀法 | 第14-15页 |
1.3.3 化学气相沉积法 | 第15页 |
1.3.4 溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第15页 |
1.4 溶胶-凝胶法制备透明导电薄膜的研究进展 | 第15-18页 |
1.5 溶胶-凝胶法制备耐磨涂层的研究进展 | 第18-19页 |
1.6 本文主要研究内容 | 第19-21页 |
第2章 涂层的制备及表征方法 | 第21-30页 |
2.1 实验设计 | 第21页 |
2.2 ITO薄膜的制备 | 第21-23页 |
2.2.1 实验过程所需的试剂以及仪器 | 第21-22页 |
2.2.2 ITO导电薄膜的制备过程 | 第22-23页 |
2.3 SiO_2耐磨涂层的制备 | 第23-24页 |
2.3.1 实验过程所需的试剂以及仪器 | 第23-24页 |
2.3.2 SiO_2耐磨涂层的制备过程 | 第24页 |
2.4 表征方法 | 第24-30页 |
2.4.1 厚度表征 | 第25页 |
2.4.2 结构表征 | 第25-26页 |
2.4.3 光学性能表征 | 第26-27页 |
2.4.4 成分及化学键合表征 | 第27页 |
2.4.5 电学性能表征 | 第27页 |
2.4.6 热稳定性能表征 | 第27-28页 |
2.4.7 力学性能表征 | 第28-30页 |
第3章 锡掺杂含量对ITO导电薄膜的影响 | 第30-45页 |
3.1 引言 | 第30页 |
3.2 锡掺杂含量对ITO薄膜结构和化学成分的影响 | 第30-36页 |
3.2.1 锡掺杂含量对ITO薄膜晶体结构的影响 | 第30-33页 |
3.2.2 锡掺杂含量对ITO薄膜表面形貌的影响 | 第33-34页 |
3.2.3 锡掺杂含量对ITO薄膜化学键合态的影响 | 第34-36页 |
3.3 锡掺杂含量对ITO薄膜性能的影响 | 第36-42页 |
3.3.1 锡掺杂含量对ITO薄膜光学性能的影响 | 第36-40页 |
3.3.2 锡掺杂含量对ITO薄膜电学性能的影响 | 第40-42页 |
3.4 涂膜层数对ITO薄膜性能的影响 | 第42-44页 |
3.4.1 ITO薄膜的光学性能 | 第42-43页 |
3.4.2 ITO薄膜的电学性能 | 第43-44页 |
3.5 本章小结 | 第44-45页 |
第4章 退火温度对ITO导电薄膜的影响 | 第45-55页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 退火温度对ITO薄膜结构和化学成分的影响 | 第45-50页 |
4.2.1 退火温度对ITO薄膜晶体结构的影响 | 第45-46页 |
4.2.2 退火温度对ITO薄膜表面形貌的影响 | 第46-48页 |
4.2.3 退火温度对ITO薄膜化学键合态的影响 | 第48-50页 |
4.3 退火温度对ITO薄膜性能的影响 | 第50-53页 |
4.3.1 退火温度对ITO薄膜光学性能的影响 | 第50-52页 |
4.3.2 退火温度对ITO薄膜电学性能的影响 | 第52-53页 |
4.4 本章小结 | 第53-55页 |
第5章 SiO_2耐磨涂层的配方设计 | 第55-66页 |
5.1 催化剂种类对SiO_2涂层的影响 | 第55-57页 |
5.1.1 催化剂对SiO_2涂层表面形貌的影响 | 第55-56页 |
5.1.2 催化剂种类对SiO_2涂层热稳定性的影响 | 第56-57页 |
5.2 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层结构和化学成分的影响 | 第57-59页 |
5.2.1 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层官能团变化的影响 | 第57-58页 |
5.2.2 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层晶体结构的影响 | 第58页 |
5.2.3 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层热稳定性的影响 | 第58-59页 |
5.3 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层性能的影响 | 第59-62页 |
5.3.1 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层光学性能的影响 | 第59-60页 |
5.3.2 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层力学性能的影响 | 第60-62页 |
5.4 其他工艺参数对SiO_2涂层性能的影响 | 第62-64页 |
5.5 本章小节 | 第64-66页 |
结论 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-73页 |
致谢 | 第73页 |