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座舱盖透明保护与电磁屏蔽涂层的制备与性能研究

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座舱盖透明保护与电磁屏蔽涂层的制备与性能研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-21页
  1.1 研究背景第9-11页
  1.2 透明导电薄膜概述第11-14页
    1.2.1 ITO透明导电薄膜的结构第11-12页
    1.2.2 ITO薄膜的光学性能与透明机理第12-13页
    1.2.3 ITO薄膜的电学性能与导电机理第13-14页
  1.3 薄膜的制备方法第14-15页
    1.3.1 磁控溅射法第14页
    1.3.2 真空蒸镀法第14-15页
    1.3.3 化学气相沉积法第15页
    1.3.4 溶胶-凝胶法(Sol-gel)第15页
  1.4 溶胶-凝胶法制备透明导电薄膜的研究进展第15-18页
  1.5 溶胶-凝胶法制备耐磨涂层的研究进展第18-19页
  1.6 本文主要研究内容第19-21页
第2章 涂层的制备及表征方法第21-30页
  2.1 实验设计第21页
  2.2 ITO薄膜的制备第21-23页
    2.2.1 实验过程所需的试剂以及仪器第21-22页
    2.2.2 ITO导电薄膜的制备过程第22-23页
  2.3 SiO_2耐磨涂层的制备第23-24页
    2.3.1 实验过程所需的试剂以及仪器第23-24页
    2.3.2 SiO_2耐磨涂层的制备过程第24页
  2.4 表征方法第24-30页
    2.4.1 厚度表征第25页
    2.4.2 结构表征第25-26页
    2.4.3 光学性能表征第26-27页
    2.4.4 成分及化学键合表征第27页
    2.4.5 电学性能表征第27页
    2.4.6 热稳定性能表征第27-28页
    2.4.7 力学性能表征第28-30页
第3章 锡掺杂含量对ITO导电薄膜的影响第30-45页
  3.1 引言第30页
  3.2 锡掺杂含量对ITO薄膜结构和化学成分的影响第30-36页
    3.2.1 锡掺杂含量对ITO薄膜晶体结构的影响第30-33页
    3.2.2 锡掺杂含量对ITO薄膜表面形貌的影响第33-34页
    3.2.3 锡掺杂含量对ITO薄膜化学键合态的影响第34-36页
  3.3 锡掺杂含量对ITO薄膜性能的影响第36-42页
    3.3.1 锡掺杂含量对ITO薄膜光学性能的影响第36-40页
    3.3.2 锡掺杂含量对ITO薄膜电学性能的影响第40-42页
  3.4 涂膜层数对ITO薄膜性能的影响第42-44页
    3.4.1 ITO薄膜的光学性能第42-43页
    3.4.2 ITO薄膜的电学性能第43-44页
  3.5 本章小结第44-45页
第4章 退火温度对ITO导电薄膜的影响第45-55页
  4.1 引言第45页
  4.2 退火温度对ITO薄膜结构和化学成分的影响第45-50页
    4.2.1 退火温度对ITO薄膜晶体结构的影响第45-46页
    4.2.2 退火温度对ITO薄膜表面形貌的影响第46-48页
    4.2.3 退火温度对ITO薄膜化学键合态的影响第48-50页
  4.3 退火温度对ITO薄膜性能的影响第50-53页
    4.3.1 退火温度对ITO薄膜光学性能的影响第50-52页
    4.3.2 退火温度对ITO薄膜电学性能的影响第52-53页
  4.4 本章小结第53-55页
第5章 SiO_2耐磨涂层的配方设计第55-66页
  5.1 催化剂种类对SiO_2涂层的影响第55-57页
    5.1.1 催化剂对SiO_2涂层表面形貌的影响第55-56页
    5.1.2 催化剂种类对SiO_2涂层热稳定性的影响第56-57页
  5.2 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层结构和化学成分的影响第57-59页
    5.2.1 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层官能团变化的影响第57-58页
    5.2.2 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层晶体结构的影响第58页
    5.2.3 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层热稳定性的影响第58-59页
  5.3 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层性能的影响第59-62页
    5.3.1 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层光学性能的影响第59-60页
    5.3.2 MTMS/TEOS配比对SiO_2涂层力学性能的影响第60-62页
  5.4 其他工艺参数对SiO_2涂层性能的影响第62-64页
  5.5 本章小节第64-66页
结论第66-67页
参考文献第67-73页
致谢第73页

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