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半导体器件交流模拟研究
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半导体器件交流模拟研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-14页
　　1.1 半导体器件模拟的近况第10-11页
　　1.2 器件的计算机模拟分类第11-12页
　　1.3 本文的主要工作和创新第12页
　　1.4 本文的结构第12-14页
第二章 半导体器件的交流模拟理论第14-27页
　　2.1 基本方程组第14-17页
　　　　2.1.1 载流子浓度第14-15页
　　　　2.1.2 漂移扩散方程组第15-17页
　　2.2 交流模拟的理论基础第17-20页
　　　　2.2.1 瞬态激励法第17页
　　　　2.2.2 交流情况内点满足的矩阵第17-20页
　　2.3 迁移率模型第20-24页
　　　　2.3.1 Analytic Mobility Model第21-22页
　　　　2.3.2 Philips Mobility Model第22-24页
　　2.4 有限体积法第24-25页
　　2.5 相关数学知识第25-26页
　　2.6 本章小结第26-27页
第三章 交流数值分析第27-46页
　　3.1 变量的选取和缩放第27-28页
　　3.2 交流模拟流程简介第28-30页
　　3.3 网格数据结构第30-31页
　　3.4 微分算子的有限体积离散第31-33页
　　　　3.4.1 矢量场的散度第32-33页
　　　　3.4.2 矢量场的旋度第33页
　　3.5 重要方程的离散第33-37页
　　　　3.5.1 泊松方程的FVM离散第33-34页
　　　　3.5.2 电流密度的离散第34-37页
　　3.6 边界处理第37-40页
　　　　3.6.1 Neumann边界第37页
　　　　3.6.2 欧姆接触电极第37-38页
　　　　3.6.3 外接交流信号的边界第38-40页
　　3.7 交流模拟的特殊参数选取第40-44页
　　　　3.7.1 电极处的交流电子和空穴浓度第40-43页
　　　　3.7.2 电极处交流电势的取值第43页
　　　　3.7.3 正弦信号的典型幅值第43-44页
　　3.8 自动微分技术第44页
　　3.9 交流矩阵第44页
　　3.10 本章小结第44-46页
第四章 交流仿真结果分析第46-59页
　　4.1 器件频率特性简介第46页
　　4.2 二极管瞬态模拟第46-50页
　　4.3 晶体管的交流特性仿真第50-58页
　　　　4.3.1 晶体管的直流瞬态仿真第51-53页
　　　　4.3.2 晶体管的瞬态特性第53-55页
　　　　4.3.3 晶体管的AC小信号扫描第55-58页
　　4.4 本章小结第58-59页
第五章 结束语第59-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-63页
攻硕期间取得的研究成果第63-64页

本篇论文共64页，点击这进入下载页面。
 
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