SPIC版图设计对ESD能力影响的研究
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SPIC版图设计对ESD能力影响的研究
论文目录
摘要
第1-7页
Abstract
第7-11页
第一章 绪论
第11-17页
1.1 智能功率集成电路介绍
第11-12页
1.2 ESD现象及研究目的与意义
第12-14页
1.3 ESD仿真技术研究
第14-15页
1.4 本文主要工作
第15-17页
第二章 研究工具的选择
第17-32页
2.1 器件仿真软件Medici的架构分析
第17-23页
2.1.1 器件仿真软件Medici特性
第17-19页
2.1.2 器件仿真软件Medici的结构分析
第19-20页
2.1.3 器件仿真软件Medici的语法构成
第20-23页
2.2 版图绘制工具Virtuoso的使用方法
第23-31页
2.2.1 Cadence简介
第23-24页
2.2.2 Virtuoso设计步骤
第24-30页
2.2.3 版图验证工具
第30-31页
2.3 本章小结
第31-32页
第三章 ESD模型及保护
第32-48页
3.1 ESD模型
第33-36页
3.1.1 人体放电模型
第33-34页
3.1.2 机器放电模型
第34-35页
3.1.3 器件充电模型
第35-36页
3.1.4 电场感应模型
第36页
3.2 无回转特性的ESD保护器件
第36-41页
3.2.1 P-N结二极管
第36-38页
3.2.2 齐纳二极管
第38-39页
3.2.3 多晶硅二极管
第39-40页
3.2.4 串联二极管
第40-41页
3.3 有回转特性的ESD保护器件
第41-46页
3.3.1 MOSFET
第41-45页
3.3.2 SCR
第45-46页
3.4 本章小结
第46-48页
第四章 不同参数对 5V CMOS工艺下的GGMOS器件的影响
第48-68页
4.1ESD保护器件GGNMOS的工作原理
第48-50页
4.1.1 器件结构
第48-49页
4.1.2 GGNMOS的工作原理
第49-50页
4.2 ESD器件的结构分析
第50-67页
4.2.1 不同栅长对器件的影响
第59-64页
4.2.2 不同衬底接触孔与栅的距离对器件的影响
第64-65页
4.2.3 不同漏端接触孔与栅的距离对器件的影响
第65-66页
4.2.4 不同源端接触孔与栅的距离对器件的影响
第66-67页
4.3 本章小结
第67-68页
第五章 SPIC版图对于ESD能力的影响
第68-79页
5.1 版图对ESD能力影响分析
第68-70页
5.1.1 单叉指GGNMOS
第68-69页
5.1.2 沟道长度
第69页
5.1.3 沟道宽度
第69-70页
5.1.4 硅化物阻挡层宽度与漏端接触孔到栅的间距
第70页
5.2 器件的版图优化
第70-77页
5.2.1 有源区优化
第71-72页
5.2.2 端部接触优化
第72-73页
5.2.3 接触孔布局的优化
第73页
5.2.4 对latch-up现象优化
第73-75页
5.2.5 源和漏的分割
第75-76页
5.2.6 金属走线的优化
第76-77页
5.3 本章小结
第77-79页
第六章 总结
第79-80页
致谢
第80-81页
参考文献
第81-84页
本篇论文共
84
页,
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。
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