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SPIC版图设计对ESD能力影响的研究

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SPIC版图设计对ESD能力影响的研究
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第一章 绪论第11-17页
  1.1 智能功率集成电路介绍第11-12页
  1.2 ESD现象及研究目的与意义第12-14页
  1.3 ESD仿真技术研究第14-15页
  1.4 本文主要工作第15-17页
第二章 研究工具的选择第17-32页
  2.1 器件仿真软件Medici的架构分析第17-23页
    2.1.1 器件仿真软件Medici特性第17-19页
    2.1.2 器件仿真软件Medici的结构分析第19-20页
    2.1.3 器件仿真软件Medici的语法构成第20-23页
  2.2 版图绘制工具Virtuoso的使用方法第23-31页
    2.2.1 Cadence简介第23-24页
    2.2.2 Virtuoso设计步骤第24-30页
    2.2.3 版图验证工具第30-31页
  2.3 本章小结第31-32页
第三章 ESD模型及保护第32-48页
  3.1 ESD模型第33-36页
    3.1.1 人体放电模型第33-34页
    3.1.2 机器放电模型第34-35页
    3.1.3 器件充电模型第35-36页
    3.1.4 电场感应模型第36页
  3.2 无回转特性的ESD保护器件第36-41页
    3.2.1 P-N结二极管第36-38页
    3.2.2 齐纳二极管第38-39页
    3.2.3 多晶硅二极管第39-40页
    3.2.4 串联二极管第40-41页
  3.3 有回转特性的ESD保护器件第41-46页
    3.3.1 MOSFET第41-45页
    3.3.2 SCR第45-46页
  3.4 本章小结第46-48页
第四章 不同参数对 5V CMOS工艺下的GGMOS器件的影响第48-68页
4.1ESD保护器件GGNMOS的工作原理第48-50页
    4.1.1 器件结构第48-49页
    4.1.2 GGNMOS的工作原理第49-50页
  4.2 ESD器件的结构分析第50-67页
    4.2.1 不同栅长对器件的影响第59-64页
    4.2.2 不同衬底接触孔与栅的距离对器件的影响第64-65页
    4.2.3 不同漏端接触孔与栅的距离对器件的影响第65-66页
    4.2.4 不同源端接触孔与栅的距离对器件的影响第66-67页
  4.3 本章小结第67-68页
第五章 SPIC版图对于ESD能力的影响第68-79页
  5.1 版图对ESD能力影响分析第68-70页
    5.1.1 单叉指GGNMOS第68-69页
    5.1.2 沟道长度第69页
    5.1.3 沟道宽度第69-70页
    5.1.4 硅化物阻挡层宽度与漏端接触孔到栅的间距第70页
  5.2 器件的版图优化第70-77页
    5.2.1 有源区优化第71-72页
    5.2.2 端部接触优化第72-73页
    5.2.3 接触孔布局的优化第73页
    5.2.4 对latch-up现象优化第73-75页
    5.2.5 源和漏的分割第75-76页
    5.2.6 金属走线的优化第76-77页
  5.3 本章小结第77-79页
第六章 总结第79-80页
致谢第80-81页
参考文献第81-84页

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