论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6页 |
| abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 光催化技术降解水体中的抗生素 | 第12-17页 |
| 1.2.1 光催化技术简介 | 第12-13页 |
| 1.2.2 光催化技术原理 | 第13-14页 |
| 1.2.3 影响光催化的因素 | 第14-15页 |
| 1.2.4 光催化的分析方法 | 第15页 |
| 1.2.5 抗生素降解的现状 | 第15-17页 |
| 1.3 ZnO的基本性质及制备方法 | 第17-20页 |
| 1.3.1 ZnO的基本理化性质 | 第17-18页 |
| 1.3.2 ZnO的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 提高ZnO光催化性能的方法 | 第19-20页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第20-23页 |
| 第二章 ZnO纳米棒阵列的制备 | 第23-33页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-25页 |
| 2.2.1 实验试剂与仪器 | 第23-24页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第24-25页 |
| 2.2.3 实验表征 | 第25页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第25-31页 |
| 2.3.1 XRD表征 | 第25-26页 |
| 2.3.2 扫描电镜和透射电镜表征 | 第26页 |
| 2.3.3 硅基底上ZnO纳米棒阵列的生长机理 | 第26-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 ZnO@ZnS纳米棒阵列的制备 | 第33-41页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验部分 | 第33-34页 |
| 3.2.1 实验试剂与仪器 | 第33-34页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第34页 |
| 3.2.3 实验表征 | 第34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-40页 |
| 3.3.1 XRD表征 | 第34-35页 |
| 3.3.2 扫描电镜和透射电镜表征 | 第35-36页 |
| 3.3.3 电子能谱表征 | 第36页 |
| 3.3.4 紫外-可见光吸收光谱表征 | 第36-37页 |
| 3.3.5 硅基底上ZnO@ZnS纳米棒阵列的生长机理 | 第37-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于芯片型ZnO@ZnS纳米棒阵列的光催化研究与器件集成 | 第41-53页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 实验部分 | 第41-43页 |
| 4.2.1 实验试剂与仪器 | 第41页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第41-43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-50页 |
| 4.3.1 四环素的降解 | 第43-49页 |
| 4.3.2 刚果红的降解 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-53页 |
| 第五章 ZnO@ZnS@Bi_2S_3纳米棒阵列的制备及光热催化性能研究 | 第53-61页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 实验部分 | 第53-55页 |
| 5.2.1 实验试剂与仪器 | 第53-54页 |
| 5.2.2 实验过程 | 第54-55页 |
| 5.2.3 实验表征 | 第55页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第55-58页 |
| 5.3.1 ZnO@ZnS@Bi_2S_3核-壳-壳的纳米棒阵列的形貌分析 | 第55-56页 |
| 5.3.2 ZnO@ZnS@Bi_2S_3核-壳-壳的纳米棒阵列的电子能谱分析 | 第56-57页 |
| 5.3.3 硅基底上ZnO@ZnS@Bi_2S_3核-壳-壳的纳米棒阵列的太阳光吸收光谱分析 | 第57页 |
| 5.3.4 基于ZnO@ZnS@Bi_2S_3核-壳-壳的纳米棒阵列芯片的光热催化降解研究 | 第57-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 结论 | 第61-62页 |
| 6.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第71页 |
