In-Al共掺制备高性能P型SnO2透明导电薄膜 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-4
页 | | Abstract | 第4-7
页 | | 第一章 文献综述 | 第7-23
页 | | · 引言 | 第7-8
页 | | · 透明导电薄膜概述 | 第8-10
页 | | · p型透明导电氧化物薄膜的研究进展 | 第10-16
页 | | · 铜铁矿系的含Cu化合物 | 第10-12
页 | | · 层状结构的氧硫族化合物、氟硫化合物 | 第12-14
页 | | · p型掺杂的宽禁带氧化物 | 第14-16
页 | | · SnO_2薄膜的性质 | 第16-17
页 | | · SnO_2透明导电薄膜的制备方法 | 第17-20
页 | | · 研究目的和内容 | 第20-22
页 | | · 本章小结 | 第22-23
页 | | 第二章 量子力学密度泛函理论简介 | 第23-29
页 | | · 引言 | 第23-24
页 | | · 密度泛函理论基本原理 | 第24-25
页 | | · 赝势 | 第25-27
页 | | · 平面波赝势 | 第25-26
页 | | · 范数不变赝势(NCPP) | 第26-27
页 | | · 超软赝势(USP) | 第27
页 | | · 本章小结 | 第27-29
页 | | 第三章 直流反应磁控溅射镀膜原理 | 第29-34
页 | | · 溅射镀膜法 | 第29-31
页 | | · 直流磁控溅射 | 第31-33
页 | | · 本章小结 | 第33-34
页 | | 第四章 薄膜的制备过程与性能表征 | 第34-41
页 | | · 直流反应磁控溅射系统 | 第34-35
页 | | · 磁控溅射法制备薄膜 | 第35-38
页 | | · 靶材的制备 | 第35
页 | | · 衬底的清洗 | 第35-36
页 | | · 薄膜的制备 | 第36-38
页 | | · 薄膜性能的表征 | 第38-41
页 | | · 薄膜晶体结构的表征 | 第38-39
页 | | · 薄膜光学性能表征 | 第39
页 | | · 薄膜的表面形貌及成分分析 | 第39
页 | | · 薄膜的电学性能表征 | 第39-41
页 | | 第五章 SnO_2薄膜的p型共掺的理论研究 | 第41-48
页 | | · 含Ⅲ族杂质的SnO_2电子结构研究 | 第41-43
页 | | · 共掺实验方法的提出 | 第43-46
页 | | · 本章小结 | 第46-48
页 | | 第六章 p型In-Al共掺SnO_2透明导电薄膜的研究 | 第48-69
页 | | · 共掺与单掺SnO_2薄膜晶体结构分析 | 第48-49
页 | | · 反应溅射法制备SnO_2:(In,Al)薄膜及其表征 | 第49-56
页 | | · 实验设备 | 第49
页 | | · 溅射靶材的制备 | 第49-50
页 | | · 反应溅射法TIAO薄膜的制备 | 第50
页 | | · 反应溅射法TIAO薄膜的表征与分析 | 第50-56
页 | | · 热氧化法制备SnO_2:(In,Al)薄膜及其表征 | 第56-61
页 | | · 热氧化法薄膜的制备 | 第56-57
页 | | · 热氧化法TIAO薄膜的表征及分析 | 第57-61
页 | | · 其他制备参数对TIAO薄膜性能的影响 | 第61-67
页 | | · 溅射功率对薄膜性能的影响 | 第62-65
页 | | · 溅射时间对TIAO薄膜性能的影响 | 第65-67
页 | | · 本章小结 | 第67-69
页 | | 第七章 结论 | 第69-70
页 | | 参考文献 | 第70-79
页 | | 攻读硕士期间发表的论文 | 第79-80
页 | | 致谢 | 第80
页 |
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