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PI/AIN纳米复合薄膜制备与性能研究

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PI/AIN纳米复合薄膜制备与性能研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-14页
  1.1 课题研究背景及意义第10-11页
    1.1.1 课题背景第10页
    1.1.2 研究目的和意义第10-11页
  1.2 国内外研究现状第11-13页
  1.3 本文主要研究的内容第13-14页
第2章 实验材料与测试方法第14-16页
  2.1 实验材料与仪器第14页
    2.1.1 实验原料第14页
    2.1.2 实验仪器第14页
  2.2 性能测试第14-15页
(1) 体积电阻率测试第14页
(2) 交流击穿场强测试第14-15页
(3) 介电谱测试第15页
(4) 等温衰减电流测试第15页
(5) 耐电晕测试第15页
(6) 紫外-可见光谱(UV-VIS)测试第15页
  2.3 结构表征第15-16页
(1) 扫描电镜(SEM)测试第15页
(2) 小角 SAXS 散射射线分析第15-16页
第3章 PI/AlN 纳米复合薄膜制备第16-20页
  3.1 聚酰亚胺合成原理第16-17页
    3.1.1 聚酰胺酸合成第16页
    3.1.2 聚酰胺酸亚胺化第16-17页
  3.2 氮化铝结构与性能特征第17-18页
  3.3 聚酰亚胺/氮化铝复合薄膜制备第18-19页
  3.4 本章小结第19-20页
第4章 PI/AlN 纳米复合薄膜结构第20-28页
  4.1 PI/AlN 纳米复合薄膜断面形貌第20-21页
  4.2 PI/AlN 复合薄膜散射体粒径分布第21-24页
  4.3 PI/AlN 复合薄膜散射体系分形特性第24-25页
  4.4 PI/AlN 复合薄膜散射体系密度分布第25-27页
  4.5 本章小结第27-28页
第5章 PI/AlN 纳米复合薄膜电性能第28-45页
  5.1 PI/AlN 纳米复合薄膜介电性能第28-34页
    5.1.1 PI/AlN 纳米复合薄膜介电松弛第28-31页
    5.1.2 PI/AlN 纳米复合薄膜体积电阻率第31-32页
    5.1.3 PI/AlN 纳米复合薄膜交流击穿场强性能第32-34页
  5.2 PI/AlN 复合薄膜等温衰减电流与陷阱能级分布第34-38页
    5.2.1 PI/AlN 复合薄膜等温衰减电流第34-36页
    5.2.2 PI/AlN 复合薄膜陷阱能级分布第36-37页
    5.2.3 PI/AlN 复合薄膜陷阱能级密度分布与 SAXS 关联性第37-38页
    5.2.4 PI/AlN 复合薄膜陷阱能级对介电性能的影响第38页
  5.3 PI/AlN 纳米复合薄膜耐电晕特性与机理第38-43页
    5.3.1 PI/AlN 纳米复合薄膜耐电晕老化能力第38-39页
    5.3.2 PI/AlN 纳米复合薄膜电晕老化机理第39-43页
  5.4 本章小结第43-45页
结论第45-46页
参考文献第46-50页
攻读学位期间发表的学术论文第50-51页
致谢第51页

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