量子点负载TiO2纳米结构薄膜光电性能研究 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-6页 | | Abstract | 第6-9页 | | 第一章 绪论 | 第9-21页 | | · 量子点概述 | 第9-15页 | | · 量子点的特性 | 第9-11页 | | · 量子点的制备与组装 | 第11-15页 | | · TiO_2 纳米材料的性质及制备方法 | 第15-17页 | | · TiO_2 的基本性质及应用 | 第15-16页 | | · TiO_2 的制备方法 | 第16-17页 | | · 量子点复合TiO_2 纳米结构的应用 | 第17-19页 | | · 在光电转化方面的应用 | 第17-18页 | | · 在光催化方面的应用 | 第18-19页 | | · 材料及器件的表征与测试 | 第19-20页 | | · 本文的主要研究内容 | 第20-21页 | | 第二章MPA修饰对PbS量子点薄膜器件光电性能的影响 | 第21-31页 | | · 引言 | 第21-22页 | | · 实验部分 | 第22-23页 | | · 实验试剂 | 第22页 | | · PbS量子点及量子点薄膜的制备 | 第22-23页 | | · TiO_2 纳米晶薄膜制备 | 第23页 | | · TiO_2/PbS复合薄膜及器件制备 | 第23页 | | · 结果与讨论 | 第23-29页 | | · PbS量子点的表征 | 第23-25页 | | · MPA修饰对PbS薄膜及异质结光电器件性能的影响 | 第25-29页 | | · 本章小结 | 第29-31页 | | 第三章CdS修饰对PbS量子点/TiO_2体异质结光电器件的影响 | 第31-45页 | | · 引言 | 第31-32页 | | · 实验部分 | 第32-33页 | | · 实验试剂 | 第32页 | | · SILAR法交替生长PbS和CdS量子点薄膜 | 第32页 | | · 光电器件的制备 | 第32-33页 | | · 结果与讨论 | 第33-44页 | | · 样品结构与形貌表征 | 第33-34页 | | · PbS不同热处理温度对器件性能的影响 | 第34-36页 | | · 不同层数PbS对器件性能的影响 | 第36-38页 | | · CdS修饰PbS薄膜对器件性能的影响 | 第38-44页 | | · 本章小结 | 第44-45页 | | 第四章 碳量子点负载TiO_2纳米棒阵列的光催化性能研究 | 第45-55页 | | · 引言 | 第45-46页 | | · 实验部分 | 第46-47页 | | · 实验试剂 | 第46页 | | · 碳量子点的制备 | 第46页 | | · 碳量子点负载TiO_2 纳米棒的制备 | 第46-47页 | | · 结果与讨论 | 第47-54页 | | · 碳量子点的表征 | 第47-48页 | | · TiO_2 纳米棒和TiO_2 纳米棒/CQD复合结构的表征 | 第48-50页 | | · 光电化学性能测试 | 第50-53页 | | · 光催化降解亚甲基蓝（MB） | 第53-54页 | | · 本章小结 | 第54-55页 | | 第五章 总结与展望 | 第55-57页 | | · 全文总结 | 第55-56页 | | · 今后工作展望 | 第56-57页 | | 参考文献 | 第57-65页 | | 发表论文和科研情况说明 | 第65-66页 | | 致谢 | 第66-67页 |
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