ESD应力下LDMOS温度特性的研究
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ESD应力下LDMOS温度特性的研究
论文目录
摘要
第1-6页
ABSTRACT
第6-11页
第一章 引言
第11-14页
· ESD 研究的意义
第11页
· 研究现状和发展趋势
第11-12页
· 主要工作
第12-14页
第二章 ESD 背景介绍
第14-32页
· 近代 ESD 随工艺和技术发展的变化
第14-16页
· ESD 放电模型
第16-21页
· HBM 模型
第16-18页
· MM 模型
第18-19页
· CDM 模型
第19-20页
· TLP 模型
第20-21页
· 测试方法和判断标准
第21-22页
· 测试方法
第21-22页
· 判断标准
第22页
· 常用 ESD 保护器件
第22-31页
· 二极管
第23-25页
· 二极管方程
第23-24页
· 二极管电阻
第24-25页
· 自加热效应
第25页
· BJT
第25-26页
· 硅控整流器(Silicon-controlled rectifier,SCR)
第26-27页
· 电阻
第27-29页
· 大电流 MOSFET
第29-31页
· MOSFET ESD 保护
第29页
· 雪崩击穿和 snapback
第29-31页
· 小结
第31-32页
第三章 热导方程和热电模型
第32-43页
· 具有可变热传导率的热传导方程
第32-34页
· 基尔霍夫变换
第32页
· Bolzmann 变换
第32-33页
· Duhamel 方程
第33-34页
· 热电模型
第34-42页
· Tasca 模型
第34-35页
· Wunsch-Bell 模型
第35-37页
· Smith-Littau 模型
第37页
· Dwyer-Franklin-Campell 模型
第37-39页
· Greves 模型
第39页
· 负差分电阻模型(negative differential resistance, NDR)
第39-40页
· Ash 模型
第40-41页
· 统计模型
第41-42页
· 小结
第42-43页
第四章 LDMOS 在 ESD 中的温度特性分析
第43-80页
· 概述
第43-45页
· 几种常见的 LDMOS ESD 保护结构
第45-48页
· LDMOS 工作原理
第48-49页
· LDMOS 仿真
第49-79页
· 准静态仿真
第50-59页
· 拐点准静态仿真
第50-54页
· 源端到衬底接触距离(SBS)不同
第54-56页
· 漏极工程不同
第56-59页
· 瞬态仿真
第59-79页
· 拐点瞬态仿真
第60-72页
· 沟道长度(L)不同
第72-75页
· 半埋层位置不同
第75-79页
· 小结
第79-80页
第五章 版图和测试
第80-85页
· ESD 版图介绍和优化
第80-83页
· 硅层面的优化
第80-81页
· 金属互联线的优化
第81-83页
· 测试结果
第83-84页
· 小结
第84-85页
第六章 结论
第85-87页
致谢
第87-88页
参考文献
第88-92页
攻硕期间取得的研究成果
第92-93 页
本篇论文共
93
页,
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。
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