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锑化物热光伏电池材料MBE制备及器件特性研究

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锑化物热光伏电池材料MBE制备及器件特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-19页
  · 课题背景及研究的目的与意义第10-11页
    · 课题研究背景第10-11页
    · 研究的目的与意义第11页
  · 锑化物 TPV 系统相关研究问题第11-15页
    · 光电转换机理第11-12页
    · 热光伏系统构造第12-13页
    · 热光伏电池材料第13-14页
    · 热光伏电池器件特性模拟分析方法第14-15页
  · 国内外在该方向的研究概况第15-17页
    · 热光伏技术的研究概况第15-16页
    · 锑化物半导体材料生长研究概况第16-17页
  · 主要研究内容第17-19页
第2章 材料生长方法及测试技术第19-27页
  · 引言第19页
  · 材料的生长方法第19-22页
    · 薄膜生长方式第19-20页
    · 实验设备第20-21页
    · MBE 技术原理和特点第21页
    · RHEED 原位监控技术第21-22页
  · 材料的分析测试方法第22-25页
    · 原子力显微镜技术(AFM)第22-23页
    · X 射线衍射技术(XRD)第23-24页
    · I-V 特性测试系统第24-25页
  · TPV 电池制备方法第25-27页
    · 湿法刻蚀第25页
    · 光刻机第25-26页
    · 台阶仪第26-27页
第3章 锑化物 TPV 电池器件模拟及性能优化分析第27-54页
  · 引言第27页
  · 锑化物 TPV 电池的物理模型及基本性能参数第27-30页
    · 锑化物 TPV 电池的物理模型第27-28页
    · 短路电流密度第28页
    · 开路电压第28-29页
    · 填充因子第29页
    · 转换效率第29-30页
  · 锑化物 TPV 电池材料特性参数的模拟第30-43页
    · 少数载流子的复合机制第30-34页
    · 吸收系数第34-38页
    · 少子迁移率第38-42页
    · 少子扩散长度第42-43页
  · 锑化物 TPV 电池器件模拟及性能优化第43-52页
    · GaSb/GaAs TPV 电池器件模拟及性能优化第44-49页
    · InAs/ GaSb TPV 电池器件模拟及性能优化第49-52页
  · 本章小结第52-54页
第4章 材料的外延生长与结构质量表征第54-63页
  · 引言第54页
  · 衬底的选择与处理第54-55页
    · 衬底的选择第54页
    · 衬底的处理第54-55页
  · p-GaSb/n-GaAs 薄膜生长与结构质量分析第55-57页
    · GaSb 层的生长设计第55-56页
    · 薄膜 AFM 表面形貌分析第56页
    · 薄膜 XRD 结构质量分析第56-57页
  · p-InAs/n-GaSb 薄膜生长与结构质量分析第57-61页
    · 薄膜的生长设计第57-58页
    · 薄膜 AFM 表面形貌分析第58-60页
    · 薄膜 XRD 结构质量分析第60-61页
  · 薄膜厚度测试第61-62页
  · 本章小结第62-63页
第5章 锑化物 TPV 电池光电性能研究第63-70页
  · 引言第63页
  · TPV 电池的制备第63-65页
    · 概述第63页
    · 电极制备工艺过程第63-64页
    · 腐蚀方法第64-65页
  · TPV 电池 I-V 性能测试第65-69页
    · 伏安特性测试及结果分析第65-67页
    · 光电性能测试及结果分析第67-69页
  · 本章小结第69-70页
结论第70-71页
参考文献第71-76页
致谢第76 页

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