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InGaN/GaN量子阱中的非线性光学性质研究
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InGaN/GaN量子阱中的非线性光学性质研究
论文目录
 
摘要第1-5 页
Abstract第5-7 页
前言第7-10 页
第一章 量子阱中的基本理论第10-21 页
　　1．1 量子阱及InGaN/GaN量子阱简介第10-12 页
　　1．2 量子阱中的带间跃迁和激子束缚能第12-15 页
　　1．3 非对称量子阱第15-17 页
　　1．4 量子阱的制备方法简介第17-21 页
第二章 理论模型和计算方法第21-37 页
　　2．1 GaN基量子阱中的能带结构第21-26 页
　　2．2 GaN量子阱中的压电场第26-29 页
　　2．3 GaN基量子阱中有效质量薛定谔方程的求解方法第29-31 页
　　2．4 量子阱中的三阶极化率第31-37 页
第三章 计算结果与讨论第37-42 页
第四章 InGaN/GaN量子阱的实验研究第42-45 页
第五章 结论与展望第45-46 页
参考文献第46-49 页
致谢第49-50 页
硕士期间发表论文第50 页

本篇论文共50页，点击这进入下载页面。
 
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