0.16微米LOGIC SRAM光刻工艺参数的优化研究

0.16微米LOGIC SRAM光刻工艺参数的优化研究

论文目录
摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
引言	第5-22页
第一节光刻基本原理和光刻技术的发展	第5-14页
第二节光刻技术的发展	第14-18页
第三节本文研究的主要内容和方向	第18-22页
第二章工作区图层SRAM的机台对准的匹配问题	第22-30页
第一节对准方法和对准补偿模型的介绍	第22-25页
第二节 0.16um SRAM ACT layer补偿模型量的差异及原因	第25-27页
第三节 Scanner机台解决对准匹配的方法	第27-30页
第三章 0.16um SRAM线宽工艺中断线连桥缺陷优化	第30-41页
第一节 SRAM断线连桥缺陷介绍	第30-32页
第二节 SRAM区域断线连桥缺陷分析	第32-36页
第三节对于0.16umSRAM逻辑电路晶圆生产中的优化控制	第36-41页
第四章 0.16umSRAM逻辑电路光刻胶卫星缺陷问题的解决方法	第41-49页
第一节关于卫星缺陷的介绍	第41-42页
第二节导致卫星缺陷的原因分析	第42-43页
第三节解决卫星缺陷的方案	第43-49页
结论	第49-51页
参考文献	第51-53页
后记	第53-54 页

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逻辑电路论文光刻对准偏焦光酸卫星缺陷论文
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