SiC中V含量的二次离子质谱分析研究
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SiC中V含量的二次离子质谱分析研究
论文目录
摘要
第1-4页
ABSTRACT
第4-7页
第一章 绪论
第7-14页
· 研究背景
第7-9页
· 研究进展和状况
第9-12页
· 本课题的意义和主要工作
第12-14页
第二章 碳化硅半导体材料晶体结构及其性质
第14-21页
· 碳化硅材料的基本性质
第14-16页
· SiC 的结构特性
第14-15页
· SiC 的基本物理化学性能
第15-16页
· SiC 的光致发光
第16页
· 碳化硅材料的晶体结构
第16-18页
· 碳化硅材料的电学性质
第18-21页
第三章 碳化硅半导体材料的制备工艺
第21-31页
· 碳化硅单晶生长
第21-27页
· Acheson 法
第21-22页
· LeIy 方法
第22-24页
· 籽晶升华方法
第24-27页
· 碳化硅的薄膜外延生长
第27-31页
第四章 半绝缘SiC 的形成机理
第31-35页
· 半绝缘碳化硅的国内外研究现状
第31-32页
· 掺钒碳化硅单晶半绝缘特性补偿机理研究
第32-33页
· 碳化硅单晶均匀掺杂控制技术研究
第33-35页
第五章 二次离子质谱(SIMS)分析技术及实验样品的制备
第35-44页
· SIMS 的发展历程
第35页
· SIMS 的工作原理
第35-39页
· 粒子溅射的级联碰撞与二次离子发射
第36页
· 粒子溅射的级联碰撞与二次离子发射
第36-37页
· CAMECA IMS 4F 的结构与性能
第37-38页
· SIMS 基本关系式
第38-39页
· SIMS 深度剖析
第39页
· SIMS 分析中常用的名词
第39-42页
· 浓度与原子密度
第39-40页
· 溅射产额
第40页
· 二次离子产率
第40页
· 溅射速率
第40页
· 基体效应
第40-41页
· 噪声本底
第41-42页
· 实验样品的制备
第42-44页
· 标样的制备
第42页
· 空白样品的制备
第42页
· 待测样品的制备
第42-44页
第六章 SIMS 实验研究方法分析及结论
第44-53页
· SIMS 深度分析条件的建立
第44-47页
· 一次离子束及其分析参数的选择
第44页
· 二次离子收集面积的选择
第44-45页
· 干扰峰的消除
第45-46页
· 轰击时间—溅射深度的转换与深度测量
第46-47页
· SIMS 定量分析方法
第47页
· 实验结果及其分析
第47-51页
· 离子注入样品的定量分析
第47-50页
· 本底检测结果分析
第50-51页
· 半绝缘样品的测试应用
第51-53页
· 半绝缘样品的SIMS 分析
第51页
· 本方法测试结果偏差的来源分析
第51-53页
第七章 结论
第53-54页
参考文献
第54-57页
发表论文和参加科研情况说明
第57-58页
致谢
第58 页
本篇论文共
58
页,
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