纳米Al/MoO_x薄膜的制备表征及其在含能SCB上的应用 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-6页 | | Abstract | 第6-9页 | | 1 绪论 | 第9-14页 | | · 研究背景 | 第9-10页 | | · 国内外研究现状 | 第10-12页 | | · 本文的主要研究目标和研究内容 | 第12-14页 | | 2 纳米Al/MoO_x薄膜的制备和表征 | 第14-25页 | | · 磁控溅射制备纳米Al/MoO_x薄膜 | 第14-16页 | | · 实验设备及材料 | 第14-15页 | | · 制备工艺 | 第15-16页 | | · 纳米Al/MoO_x薄膜的形貌分析 | 第16-17页 | | · 纳米Al/MoO_x薄膜成分分析 | 第17-20页 | | · 纳米Al/MoO_x薄膜的XRD表征 | 第17-18页 | | · 纳米Al/MoO_x薄膜的XPS表征 | 第18-20页 | | · 纳米Al/MoO_x薄膜热分析 | 第20-23页 | | · 不同调制周期的纳米Al/MoO_x薄膜DSC分析 | 第20-21页 | | · 纳米Al/MoO_x薄膜的DSC分析 | 第21-23页 | | · 本章小结 | 第23-25页 | | 3 含能半导体桥SCB-Al/MoO_x集成工艺与安全性 | 第25-33页 | | · 纳米Al/MoO_x薄膜与SCB的集成工艺 | 第25-26页 | | · SCB-Al/MoO_x防射频措施 | 第26-28页 | | · NTC热敏电阻对SCB-Al/MoO_x恒流感度的影响 | 第28-32页 | | · 1AlW5min不发火实验 | 第28-30页 | | · 红外测温 | 第30-32页 | | · 本章小结 | 第32-33页 | | 4 含能半导体桥SCB-Al/MoO_x电爆换能规律 | 第33-49页 | | · 电爆实验装置 | 第33页 | | · 典型发火特性曲线和电爆参数显著性检验 | 第33-40页 | | · 电阻、临界激发时间和临界激发能量 | 第36-39页 | | · 作用总时间和总能量 | 第39-40页 | | · 输入能量利用率与输出能量效率 | 第40-43页 | | · 高速摄影与双谱线测温 | 第43-46页 | | · 点火可靠性验证 | 第46-47页 | | · 本章小结 | 第47-49页 | | 5 结论与展望 | 第49-52页 | | · 结论 | 第49-50页 | | · 创新点 | 第50页 | | · 展望 | 第50-52页 | | 致谢 | 第52-53页 | | 参考文献 | 第53-56
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