Sol-gel法掺杂导电ZnO薄膜及其低温氮气热处理
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Sol-gel法掺杂导电ZnO薄膜及其低温氮气热处理
论文目录
摘要
第1-4页
ABSTRACT
第4-8页
第一章 绪论
第8-29页
· 研究背景
第8-10页
· 全球性的能源问题
第8-9页
· 世界各国新能源利用状况
第9页
· 太阳能优势与展望
第9-10页
· 太阳能电池工作原理
第10-14页
· 太阳能电池的半导体材料基础
第10-12页
· 太阳能电池发电原理
第12-13页
· 评价太阳能电池的重要参数
第13-14页
· 太阳能电池的分类与发展趋势
第14-19页
· 太阳能电池的材料要求
第14-16页
· 太阳能电池分类
第16-18页
· 太阳能电池的发展趋势
第18-19页
· 薄膜的制备方法
第19-23页
· 物理气相法
第19-20页
· 物理液相法
第20-21页
· 化学气相法
第21页
· 化学液相法
第21-23页
· CuInSe_2薄膜材料
第23-28页
· CuInSe_2的晶体结构
第23-24页
· CuInSe_2材料的电学性质
第24-25页
· CuInSe_2材料的光学性质
第25页
· CuInSe_2薄膜的制备方法
第25-26页
· CuInSe_2薄膜的应用
第26-28页
· 课题的提出与研究内容
第28-29页
第二章 实验与研究方法
第29-35页
· 实验所用原料与设备
第29-31页
· 实验原料
第29-30页
· 实验设备
第30-31页
· 实验过程与方案
第31-33页
· 实验过程
第31页
· 实验方案
第31-33页
· 薄膜的性能测试表征
第33-35页
· 测试仪器
第33页
· 分析方法
第33-35页
第三章 CuInSe_2薄膜近中性电解液电沉积的研究
第35-53页
· CuInSe_2三元电沉积问题
第35-36页
· 不同络合电解液及其络合反应
第36-38页
· 沉积溶液中电解质的水解反应
第36页
· 不同络合剂的络合机理
第36-38页
· 不同络合剂对沉积电位的影响
第38-45页
· Cu~(2+)溶液的单扫分析
第39-41页
· In~(3+)溶液的单扫分析
第41-43页
· SeO_2 溶液的单扫分析
第43-45页
· 温度对沉积电位的影响
第45-49页
· Cu~(2+)溶液的单扫分析
第45-46页
· In~(3+)溶液的单扫分析
第46-47页
· SeO_2溶液的单扫分析
第47-49页
· 浓度对沉积电位的影响
第49-50页
· 双电位阶跃电沉积的提出
第50-51页
· 本章小结
第51-53页
第四章 DPSED 电沉工艺CuInSe_2薄膜的研究
第53-69页
· DPSED 技术原理
第53-54页
· DPSED 技术简介
第53-54页
· DPSED 过程电化学反应
第54页
· DPSED 工艺过程
第54-57页
· 溶液的配制与实验工艺
第54-55页
· 典型的双电位阶跃沉积曲线
第55-57页
· DPSED-CuInSe_2薄膜的表征
第57-63页
· XRD 分析
第57-58页
· XPS 与EDS 分析
第58-60页
· SEM 形貌分析
第60-62页
· CuInSe_2薄膜的DPSED 法成膜机理
第62-63页
· CuInSe_2 薄膜的光学性质
第63页
· DPSED 法沉积CuInSe_2薄膜的优化改性
第63-68页
· 阶跃参数的影响
第64-65页
· 不同 Cu/In 对薄膜性能的影响
第65-68页
· 本章小结
第68-69页
第五章 结论
第69-70页
参考文献
第70-76页
发表论文和科研情况说明
第76-77页
致谢
第77 页
本篇论文共
71
页,
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