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Sol-gel法掺杂导电ZnO薄膜及其低温氮气热处理

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Sol-gel法掺杂导电ZnO薄膜及其低温氮气热处理
论文目录
 
摘要第1-4页
ABSTRACT第4-8页
第一章 绪论第8-29页
  · 研究背景第8-10页
    · 全球性的能源问题第8-9页
    · 世界各国新能源利用状况第9页
    · 太阳能优势与展望第9-10页
  · 太阳能电池工作原理第10-14页
    · 太阳能电池的半导体材料基础第10-12页
    · 太阳能电池发电原理第12-13页
    · 评价太阳能电池的重要参数第13-14页
  · 太阳能电池的分类与发展趋势第14-19页
    · 太阳能电池的材料要求第14-16页
    · 太阳能电池分类第16-18页
    · 太阳能电池的发展趋势第18-19页
  · 薄膜的制备方法第19-23页
    · 物理气相法第19-20页
    · 物理液相法第20-21页
    · 化学气相法第21页
    · 化学液相法第21-23页
  · CuInSe_2薄膜材料第23-28页
    · CuInSe_2的晶体结构第23-24页
    · CuInSe_2材料的电学性质第24-25页
    · CuInSe_2材料的光学性质第25页
    · CuInSe_2薄膜的制备方法第25-26页
    · CuInSe_2薄膜的应用第26-28页
  · 课题的提出与研究内容第28-29页
第二章 实验与研究方法第29-35页
  · 实验所用原料与设备第29-31页
    · 实验原料第29-30页
    · 实验设备第30-31页
  · 实验过程与方案第31-33页
    · 实验过程第31页
    · 实验方案第31-33页
  · 薄膜的性能测试表征第33-35页
    · 测试仪器第33页
    · 分析方法第33-35页
第三章 CuInSe_2薄膜近中性电解液电沉积的研究第35-53页
  · CuInSe_2三元电沉积问题第35-36页
  · 不同络合电解液及其络合反应第36-38页
    · 沉积溶液中电解质的水解反应第36页
    · 不同络合剂的络合机理第36-38页
  · 不同络合剂对沉积电位的影响第38-45页
    · Cu~(2+)溶液的单扫分析第39-41页
    · In~(3+)溶液的单扫分析第41-43页
    · SeO_2 溶液的单扫分析第43-45页
  · 温度对沉积电位的影响第45-49页
    · Cu~(2+)溶液的单扫分析第45-46页
    · In~(3+)溶液的单扫分析第46-47页
    · SeO_2溶液的单扫分析第47-49页
  · 浓度对沉积电位的影响第49-50页
  · 双电位阶跃电沉积的提出第50-51页
  · 本章小结第51-53页
第四章 DPSED 电沉工艺CuInSe_2薄膜的研究第53-69页
  · DPSED 技术原理第53-54页
    · DPSED 技术简介第53-54页
    · DPSED 过程电化学反应第54页
  · DPSED 工艺过程第54-57页
    · 溶液的配制与实验工艺第54-55页
    · 典型的双电位阶跃沉积曲线第55-57页
  · DPSED-CuInSe_2薄膜的表征第57-63页
    · XRD 分析第57-58页
    · XPS 与EDS 分析第58-60页
    · SEM 形貌分析第60-62页
    · CuInSe_2薄膜的DPSED 法成膜机理第62-63页
    · CuInSe_2 薄膜的光学性质第63页
  · DPSED 法沉积CuInSe_2薄膜的优化改性第63-68页
    · 阶跃参数的影响第64-65页
    · 不同 Cu/In 对薄膜性能的影响第65-68页
  · 本章小结第68-69页
第五章 结论第69-70页
参考文献第70-76页
发表论文和科研情况说明第76-77页
致谢第77 页

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