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16-18GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器设计
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16-18GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器设计
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-15页
　　　　1.1 研究背景与意义第9-10页
　　　　　　　　1.1.1 课题背景第9页
　　　　　　　　1.1.2 研究意义第9-10页
　　　　1.2 基于SiGe BiCMOS工艺的低噪声放大器研究现状第10-13页
　　　　　　　　1.2.1 国内研究现状第11-12页
　　　　　　　　1.2.2 国外研究现状第12-13页
　　　　1.3 研究内容与设计指标第13页
　　　　　　　　1.3.1 研究内容第13页
　　　　　　　　1.3.2 设计指标第13页
　　　　1.4 论文结构第13-15页
第2章 SiGe HBT低噪声放大器原理第15-31页
　　　　2.1 SiGe HBT的噪声特性第15-18页
　　　　　　　　2.1.1 二端口网络的噪声特性第15-17页
　　　　　　　　2.1.2 SiGe HBT的最小噪声系数第17-18页
　　　　2.2 常用的SiGe HBT低噪声放大器结构第18-22页
　　　　　　　　2.2.1 输入端并联电阻的共射放大器结构第18-19页
　　　　　　　　2.2.2 共基放大器结构第19-20页
　　　　　　　　2.2.3 射极电感负反馈共射放大器结构第20-22页
　　　　2.3 射极电感负反馈低噪声放大器的噪声特性第22-24页
　　　　2.4 共射共基结构在低噪声放大器中的应用第24-27页
　　　　　　　　2.4.1 共基放大级对LNA增益的影响第24页
　　　　　　　　2.4.2 共基放大级对LNA稳定性的影响第24-25页
　　　　　　　　2.4.3 共基放大级对LNA噪声系数的影响第25-27页
　　　　2.5 SiGe HBT低噪声放大器的线性度第27-28页
　　　　2.6 本章小结第28-31页
第3章 低噪声放大器中片上螺旋电感的设计第31-43页
　　　　3.1 片上集成螺旋电感第31-36页
　　　　　　　　3.1.1 片上电感值的表达式第31-32页
　　　　　　　　3.1.2 片上螺旋电感中的损耗第32-35页
　　　　　　　　3.1.3 片上螺旋电感的模型第35-36页
　　　　3.2 基极电感对低噪声放大器噪声性能的影响第36-37页
　　　　3.3 片上螺旋电感的电磁场仿真优化第37-42页
　　　　　　　　3.3.1 电磁场仿真工具第37-38页
　　　　　　　　3.3.2 基极电感电磁场仿真与优化第38-42页
　　　　3.4 本章小结第42-43页
第4章 低噪声放大器的电路设计与前仿真第43-63页
　　　　4.1 LNA电路结构第43-44页
　　　　4.2 LNA电路设计过程与前仿真第44-60页
　　　　　　　　4.2.1 HBT最小噪声系数仿真第44-45页
　　　　　　　　4.2.2 输入阻抗共轭匹配与噪声匹配第45-47页
　　　　　　　　4.2.3 Ku频段的输入功率与噪声同时匹配第47-52页
　　　　　　　　4.2.4 输出阻抗共轭匹配第52-55页
　　　　　　　　4.2.5 增益平坦度设计与仿真第55-57页
　　　　　　　　4.2.6 低噪声放大器的线性度仿真第57-60页
　　　　4.3 LNA电路前仿真结果第60页
　　　　4.4 本章小结第60-63页
第5章 低噪声放大器的版图设计与后仿真第63-75页
　　　　5.1 电路工艺介绍与LNA器件选型第63-65页
　　　　5.2 版图设计与优化第61-68页
　　　　　　　　5.2.1 LNA射频版图设计要点第61-67页
　　　　　　　　5.2.2 版图优化第67-68页
　　　　5.3 版图寄生参数提取方法及后仿真第68-73页
　　　　　　　　5.3.1 射频版图参数提取方法第68-70页
　　　　　　　　5.3.2 后仿真结果分析第70-73页
　　　　5.4 本章小结第73-75页
第6章 工作总结与展望第75-77页
　　　　6.1 工作总结第75页
　　　　6.2 工作展望第75-77页
参考文献第77-83页
致谢第83-85页
攻读硕士学位期间发表的论文第85-87页
附录第87-91页

本篇论文共91页，点击这进入下载页面。
 
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