硅基锗量子点近红外探测器的研究和改进



硅基锗量子点近红外探测器的研究和改进

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硅基锗量子点近红外探测器的研究和改进

论文目录
第1章引言	第1-16页
· 红外探测器概述	第7-11页
· 红外光简介	第7页
· 红外探测器的概念和分类	第7-8页
· 红外探测器的主要性能指标	第8-10页
· 红外探测器的发展和使用	第10-11页
· 硅基锗量子点近红外探测器	第11-15页
· 概述	第11-12页
· 基本结构和工作原理	第12-14页
· 发展现状	第14-15页
· 本论文的结构安排	第15-16页
第2章结构模拟	第16-35页
· 原理描述	第16-28页
· 增透膜的简单原理	第16-18页
· 理论模型	第18-26页
· 实际模型的建立	第26-28页
· 模拟和计算的结果	第28-33页
· 基于简单原理的增透膜选择	第28页
· 多层量子点结构层数选择	第28-31页
· Si 填充层厚度的选择	第31-32页
· 增透膜的厚度和类型的选择	第32-33页
· 本章小结	第33-35页
第3章材料生长	第35-46页
· 样品#0309	第35-40页
· 样品#0309 的结构图	第36页
· 样品#0309 的AFM 测试	第36-38页
· 样品#0309 的PL 谱	第38-39页
· 样品#0309 的TEM 测试	第39-40页
· 样品#0411xx 系列	第40-44页
· 样品#041101 和#041102 的材料结构	第40-41页
· 样品#041101 和#041102 的拉曼测试	第41页
· 样品#041103 的材料结构	第41-43页
· 样品#041103 的拉曼测试	第43页
· 样品#0411xx 系列的XRD 测试	第43-44页
· 本章小结	第44-46页
第4章工艺流水过程	第46-57页
· 版图说明	第46-47页
· 工艺流程	第47-50页
· 样品#041101 的工艺流程	第47-49页
· 样品#041102 的工艺流程	第49-50页
· 样品#041103 的工艺流程	第50页
· 特殊工艺步骤的说明	第50-53页
· 使用LPCVD 生长并致密的SiO_2 膜作为RIE 刻蚀的保护膜	第50-51页
· 使用热探针作为判据的湿法刻蚀	第51-52页
· 对准溅射和旋转溅射结合的Al 溅射	第52-53页
· 器件照片	第53-56页
· 本章小结	第56-57页
第5章测试	第57-70页
· 测试准备	第57-60页
· 器件封装	第57-58页
· 测试设备和测试方法	第58-60页
· 数据处理	第60-61页
· 照射光强	第60页
· 响应度的计算	第60-61页
· 测试结果	第61-64页
· 样品#0309 的测试结果	第61-62页
· 样品#0411xx 系列的测试结果	第62-64页
· 结果分析	第64-69页
· 暗电流比较	第64页
· 材料结构引起的差别	第64-66页
· 衬底类型不同的器件特性	第66页
· 表面SiO_2 覆盖层的影响	第66-67页
· 增透膜的作用	第67-69页
· 本章小结	第69-70页
第6章总结	第70-72页
· 本论文的主要工作和成果	第70-71页
· 对进一步研究工作的展望	第71-72页
参考文献	第72-74页
致谢	第74页
声明	第74-75页
附录	第75-84页
附录 A GSE 系统的主要组成部分	第75-76页
附录 B 样品#0309 的生长过程参数	第76-77页
附录 C SiGe Raman Spectra	第77-78页
附录 D 样品#0309 的版图	第78-79页
附录 E 样品#041101 的版图	第79-80页
附录 F 样品#0309 的工艺流程卡	第80-81页
附件 G 样品#041101/02 的流程卡	第81-82页
附录 H 样品#041103 的流程卡	第82-83页
附录 I 光纤万用表探头参数	第83-84页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果	第84页

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