论文目录 | |
第一章 绪论 | 第1-16
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1.1 概述 | 第9-10
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1.2 磁敏传感器的种类 | 第10-13
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1.3 半导体磁敏传感器的发展方向 | 第13-15
页 |
1.4 研究工作和论文结构安排 | 第15-16
页 |
第二章 集成半导体霍尔器件 | 第16-31
页 |
2.1 霍尔器件(Hall Devices) | 第16-22
页 |
2.1.1 设计集成霍尔器件需要考虑的问题 | 第17-19
页 |
2.1.2 半导体集成霍尔器件的性能 | 第19-22
页 |
2.2 几何修正因子(Geometric Correction Factor) | 第22-25
页 |
2.2.1 霍尔板G表达式的推导 | 第23-24
页 |
2.2.2 霍尔板G值的实验结果 | 第24-25
页 |
2.3 MOSFET磁敏传感器 | 第25-29
页 |
2.3.1 MOSFET型霍尔传感器(MOSFET Hall Sensor) | 第25-28
页 |
2.3.2 分裂漏MOSFET磁敏传感器(MAGFET) | 第28-29
页 |
2.4 本章小结 | 第29-31
页 |
第三章 扇形分裂漏MOSFET磁敏传感器 | 第31-47
页 |
3.1 矩形分裂漏MOSFET磁敏传感器 | 第31-38
页 |
3.1.1 矩形MAGFET内部电流分析 | 第31-33
页 |
3.1.2 矩形MAGFET的灵敏度 | 第33-34
页 |
3.1.3 矩形MAGFET的几何修正因子 | 第34-36
页 |
3.1.4 矩形MAGFET的几何参数对灵敏度的影响 | 第36-38
页 |
3.2 扇形分裂漏MOSFET磁敏传感器 | 第38-42
页 |
3.2.1 扇形MAGFET结构 | 第38-39
页 |
3.2.2 扇形MAGFET内部电流分析 | 第39
页 |
3.2.3 扇形MAGFET灵敏度模型 | 第39-42
页 |
3.3 噪声对MAGFET的影响 | 第42-45
页 |
3.3.1 MAGFET设计中低噪声的考虑 | 第43-44
页 |
3.3.2 MAGFET设计中信噪比的考虑 | 第44-45
页 |
3.4 多晶硅覆盖和分裂漏宽度对MAGFET灵敏度的影响 | 第45-46
页 |
3.5 本章小结 | 第46-47
页 |
第四章 扇形MAGFET磁敏传感器的测试分析 | 第47-56
页 |
4.1 分裂漏MOSFET磁敏传感器的研制 | 第47-49
页 |
4.2 芯片的测试及分析 | 第49-54
页 |
4.2.1 扇形MAGFET的开启电压 | 第49-50
页 |
4.2.2 扇形MAGFET的输出特性曲线 | 第50-51
页 |
4.2.3 扇形MAGFET的灵敏度 | 第51-52
页 |
4.2.4 扇形MAGFET栅压对灵敏度的影响 | 第52
页 |
4.2.5 扇形MAGFET电流灵敏度模型验证与分析 | 第52-54
页 |
4.3 扇形MAGFET与矩形MAGFET的灵敏度比较 | 第54-55
页 |
4.4 本章小结 | 第55-56
页 |
第五章 磁敏线阵列传感器集成电路芯片的设计 | 第56-84
页 |
5.1 磁敏线阵列传感器集成电路芯片的系统结构 | 第56-57
页 |
5.2 芯片子电路结构和工作原理 | 第57-66
页 |
5.2.1 磁信号预处理电路 | 第57-59
页 |
5.2.2 相关二次采样电路 | 第59-63
页 |
5.2.3 数字信号产生电路 | 第63-64
页 |
5.2.4 动态范围自动调整电路的设计和实现 | 第64-66
页 |
5.3 CMOS工艺中的MOSFET开关 | 第66-71
页 |
5.3.1 沟道电荷注入效应(Channel Charge Injection) | 第67-68
页 |
5.3.2 时钟馈通效应(Clock Feedthrough) | 第68
页 |
5.3.3 减小电荷注入与时钟馈通效应的措施 | 第68-69
页 |
5.3.4 电路设计中的MOSFET开关模拟仿真 | 第69-71
页 |
5.4 信号处理电路系统器件参数确定和功能模拟 | 第71-73
页 |
5.5 磁敏线阵列传感器集成电路芯片的版图设计 | 第73-82
页 |
5.5.1 芯片整体布局设计 | 第73-75
页 |
5.5.2 芯片中的串扰问题 | 第75-76
页 |
5.5.3 版图设计消除芯片中噪声的方法 | 第76-78
页 |
5.5.4 预处理电路和采样电路版图设计的考虑 | 第78-80
页 |
5.5.5 数字信号产生电路版图设计的考虑 | 第80-81
页 |
5.5.6 模拟电源线和地线、输入输出PAD版图设计的考虑 | 第81-82
页 |
5.6 本章小结 | 第82-84
页 |
第六章 磁敏线阵列传感器集成电路芯片的封装测试 | 第84-95
页 |
6.1 芯片的封装 | 第84-86
页 |
6.2 芯片的测试分析 | 第86-94
页 |
6.2.1 数字电路模块的测试分析 | 第87-88
页 |
6.2.2 模拟电路模块的输入信号测试分析 | 第88-90
页 |
6.2.3 两种工作模式的测试分析 | 第90-92
页 |
6.2.4 动态范围调整的测试分析 | 第92-93
页 |
6.2.5 电路灵敏度的测试分析 | 第93-94
页 |
6.3 本章小结 | 第94-95
页 |
第七章 论文总结与展望 | 第95-98
页 |
7.1 论文总结 | 第95-96
页 |
7.1.1 扇形分裂漏MOSFET磁敏传感器的研究总结 | 第95-96
页 |
7.1.2 磁敏线阵列传感器集成电路的研究总结 | 第96
页 |
7.2 对今后研究工作的展望 | 第96-98
页 |
参考文献 | 第98-102
页 |
论文发表情况 | 第102-103
页 |
致谢 | 第103
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