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亚微米线性AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN HEMT研究与建模
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亚微米线性AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN HEMT研究与建模
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-11页
1 引言第11-17页
　　· 课题研究的背景与意义第11页
　　· AlGaN/GaN HEMT 国内外发展动态第11-16页
　　　　· AlGaN/GaN HEMT 器件的发展第11-14页
　　　　· AlGaN/GaN HEMT 模型的发展第14-15页
　　　　· 线性局限第15-16页
　　· 本论文的工作及内容安排第16-17页
2 AlGaN/GaN HEMT 基本原理第17-32页
　　· 半导体材料概述第17-19页
　　· GaN 晶格结构第19-20页
　　· GaN HEMT 的基本原理和主要特性第20-27页
　　　　· AlGaN/GaN HEMT 基本工作原理第20页
　　　　· AlGaN/GaN HEMT 中的2-DEG 性质第20-21页
　　　　· I-V 特性第21-22页
　　　　· 高频特性第22-23页
　　　　· 功率特性第23-26页
　　　　· 自热效应第26-27页
　　· 微电子器件模型概述第27-31页
　　　　· 建模的重要性第27-28页
　　　　· 高功率晶体管模型介绍第28-29页
　　　　· 等效电路模型建模方法第29-30页
　　　　· 建模的要求第30-31页
　　· 小结第31-32页
3 新型GaN HEMT 器件的设计与仿真第32-46页
　　· AlGaN/AlN/GaN HEMT 器件简介第32页
　　· 新型器件结构设计与计算第32-39页
　　　　· 器件外延层结构第32-33页
　　　　· 外延结构计算过程第33-36页
　　　　· 计算结果分析第36-39页
　　· TCAD 仿真I-V 特性第39-43页
　　　　· Silvaco TCAD 软件的仿真方法及注意事项第39-40页
　　　　· 仿真结果分析第40-42页
　　　　· I-V 特性仿真第42-43页
　　· TCAD 仿真自热效应第43-45页
　　· 小结第45-46页
4 直流和微波特性测量与分析第46-60页
　　· 在片测量简介第46-48页
　　· 直流和小信号特性第48-58页
　　　　· 测试方案第48页
　　　　· 直流特性第48-54页
　　　　· 小信号S 参数测量第54-58页
　　· 大信号特性第58-59页
　　· 小结第59-60页
5 AlGaN/GaN HEMT 器件建模第60-76页
　　· 基于IC-CAP 的晶体管建模一般操作过程第60-61页
　　· 小信号等效电路拓扑结构和参数提取技术第61-71页
　　　　· 小信号等效电路模型参数第61-63页
　　　　· 去嵌结构及去嵌流程第63-65页
　　　　· 寄生参数提取第65-69页
　　　　· 本征部分等效电路参数提取第69-71页
　　· EEHEMT1 模型的验证第71-74页
　　· 最终模型第74-75页
　　· 小结第75-76页
6 总结第76-78页
　　· 总结第76页
　　· 展望第76-78页
致谢第78-79页
参考文献第79-83页
附录第83-84页
详细摘要第84-87 页

本篇论文共87页，点击这进入下载页面。
 
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