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基于TiO2薄膜的电阻开关特性研究

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基于TiO2薄膜的电阻开关特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第1章 文献综述第11-30页
  · 引言第11页
  · TiO_2的基本性质第11-13页
  · TiO_2薄膜的应用第13-14页
    · 光催化剂第13页
    · 传感器第13页
    · 光电解水制氢第13页
    · 染料敏化太阳能电池第13-14页
  · 电阻式存储器原理及研究进展第14-24页
    · 电阻式存储器工作原理及优点第14-15页
    · 电阻开关效应分类第15-16页
    · 电阻式存储器材料及其类型第16-19页
    · 电阻开关效应机制第19-22页
    · 电流传导机制第22-24页
  · TiO_2电阻开关的国内外研究现状第24-26页
  · TiO_2薄膜的制备工艺第26-28页
    · 化学气相沉积第27页
    · 离子束辅助沉积第27页
    · 溶胶-凝胶法第27-28页
    · 反应蒸发法第28页
    · 磁控溅射第28页
  · 本课题研究意义及研究内容第28-30页
    · 研究意义第28-29页
    · 研究内容第29-30页
第2章 薄膜的制备及其表征技术第30-38页
  · 反应磁控溅射第30-33页
    · 反应磁控溅射原理第30-31页
    · 直流反应磁控溅射系统第31-32页
    · 射频反应磁控溅射系统第32-33页
  · 电子束蒸发第33-34页
  · 薄膜性能的表征第34-37页
    · X射线衍射(XRD)测试第34-35页
    · 薄膜光学性质的测试第35-36页
    · I-V特性曲线测试第36页
    · C-V特性及其高低电阻测试第36-37页
  · 本章小结第37-38页
第3章 薄膜生长理论及TiO_2薄膜的制备第38-43页
  · 薄膜制备准备工作第38-40页
  · TiO_2薄膜的制备第40页
  · TiO_2 薄膜的沉积速率第40-42页
  · 本章小结第42-43页
第4章 硅衬底上TiO_2薄膜的电阻开关特性研究第43-61页
  · 电阻开关现象初步研究第43-45页
  · 沉积时间对TiO_2薄膜性能的影响第45-48页
    · 沉积时间对TiO_2薄膜晶体结构的影响第45-46页
    · 沉积时间对TiO_2薄膜电阻开关特性的影响第46-48页
  · 氧含量对TiO_2薄膜性能的影响第48-53页
    · 氧含量对TiO_2薄膜晶体结构的影响第49-51页
    · 氧含量对TiO_2薄膜电阻开关特性的影响第51-53页
  · 退火温度对TiO_2薄膜性能的影响第53-57页
    · 退火温度对TiO_2薄膜晶体结构的影响第54-55页
    · 退火温度对TiO_2薄膜电阻开关特性的影响第55-57页
    · 退火温度对TiO_2薄膜高低电阻的影响第57页
  · n型和p型重掺硅上TiO_2薄膜的电阻开关性能比较第57-58页
  · 电阻状态保持特性研究第58-59页
  · C-V特性研究第59-60页
  · 本章小结第60-61页
第5章 柔性电阻开关器件第61-66页
  · 引言第61页
  · SS/TiO_2/Pt/PET柔性电阻开关器件第61-63页
    · 柔性衬底上Pt金属膜的制备第61页
    · 晶体结构分析第61-62页
    · 电阻开挂特性分析第62-63页
  · SS/TiO_2/CdO/PET柔性透明电阻开关器件第63-65页
    · 柔性衬底上CdO薄膜的制备第63页
    · 晶体结构分析第63-64页
    · 光学性能分析第64页
    · 电阻开关特性分析第64-65页
  · 本章小结第65-66页
第6章 结论第66-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-75页
附录第75 页

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