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基于表面势的HEMT模型研究
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基于表面势的HEMT模型研究
论文目录
 
摘要第1-5 页
ABSTRACT第5-9 页
第1章 绪论第9-16 页
　　· PHEMT（HEMT）的发展及其应用第9-11 页
　　· 建模的必要性及其现状第11-14 页
　　　　· 建模的意义第11-12 页
　　　　· GaAs HEMT 建模现状第12-13 页
　　　　· 主要的商用模型及方法第13-14 页
　　· 本文的主要内容及结构第14-16 页
第2章 HEMT 基本工作机理第16-28 页
　　· HEMT 基本结构第16 页
　　· GaAs HEMT 的基本工作原理第16-28 页
　　　　· 结构参数分析第16-18 页
　　　　· 工作机理第18-19 页
　　　　· 二维电子气（2-DEG）第19-21 页
　　　　· 面电子密度（ns）第21-24 页
　　　　· 阈值电压和I-V 特性第24-26 页
　　　　· 栅电容和截止频率fT第26-28 页
第3章 MOSFET 的表面势基模型第28-46 页
　　· Pao-sah 模型第28-30 页
　　· 薄层电荷模型[35-40]第30-34 页
　　· PSP 模型[46]第34-46 页
　　　　· 表面势求解第36-40 页
　　　　· 电流方程第40-43 页
　　　　· 本征电荷第43-46 页
第4章 模型推导第46-64 页
　　· 器件结构分析第46-51 页
　　· 饱和点和分段点第51-53 页
　　　　· 饱和点第51-53 页
　　　　· 分段点第53 页
　　· 解析求解表面势第53-57 页
　　· 电流电压方程第57-60 页
　　· 电荷方程第60-62 页
　　· 小结第62-64 页
第5章 仿真结果分析第64-67 页
　　· 解析求解表面势结果第64 页
　　· 电流电压曲线结果第64-66 页
　　· 电荷曲线结果第66 页
　　· 小结第66-67 页
第6章 总结和展望第67-68 页
　　· 总结第67 页
　　· 今后工作展望第67-68 页
致谢第68-69 页
参考文献第69-74 页
附录第74 页

本篇论文共74页，点击这进入下载页面。
 
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