TC4钛合金上制备C轴取向AlN薄膜研究



TC4钛合金上制备C轴取向AlN薄膜研究

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TC4钛合金上制备C轴取向AlN薄膜研究

论文目录
摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-9页
第一章绪论	第9-21页
1.1 论文研究背景及意义	第9-10页
1.2 钛合金简介	第10-12页
1.2.1 钛合金分类	第10-11页
1.2.2 钛合金的应用	第11-12页
1.3 AlN材料的简介	第12-18页
1.3.1 AlN的晶体结构	第12-13页
1.3.2 AlN薄膜的材料特性	第13-14页
1.3.3 AlN薄膜的一般制备方法	第14-18页
1.4 研究现状与发展前景	第18-20页
1.5 主要研究内容	第20-21页
第二章 AlN薄膜的制备与样品的表征方法	第21-33页
2.1 AlN薄膜的择优取向生长	第21-27页
2.1.1 薄膜的生长模型	第21-24页
2.1.2 AlN薄膜择优取向生长机理	第24-27页
2.2 中频磁控溅射系统	第27-29页
2.2.1 磁控反应溅射的基本原理	第27-28页
2.2.2 中频磁控反应溅射的特点	第28-29页
2.3 AlN薄膜的表征方法	第29-33页
2.3.1 X射线衍射分析（XRD）	第29-31页
2.3.2 原子力显微镜分析（AFM）	第31-32页
2.3.3 扫描电子显微镜分析（SEM）	第32-33页
第三章在TC4衬底上制备AlN薄膜的研究	第33-52页
3.1 在Si(100)基片上直接沉积AlN薄膜	第33-36页
3.2 在TC4基片上直接沉积AlN薄膜	第36-40页
3.3 溅射参数对AlN薄膜结晶取向的影响	第40-50页
3.3.1 溅射气压的影响	第40-43页
3.3.2 溅射功率的影响	第43-45页
3.3.3 溅射靶基距的影响	第45-48页
3.3.4 衬底温度的影响	第48-50页
3.4 本章小结	第50-52页
第四章两步法在TC4基片上制备AlN薄膜	第52-63页
4.1 溅射时间对薄膜质量的影响	第52-54页
4.2 TC4基片上两步法制备AlN薄膜	第54-59页
4.2.1 恒温时间对薄膜质量的影响	第54-57页
4.2.2 自然降温时间对薄膜质量的影响	第57-59页
4.3 优化工艺所制备AlN薄膜的表征	第59-61页
4.4 本章小结	第61-63页
第五章结论	第63-64页
致谢	第64-65页
参考文献	第65-69页
攻硕期间取得的研究成果	第69-70页

本篇论文共70页，点击这进入下载页面。

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