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CdSe及Er掺杂CdSe纳米带的制备及光电性质的研究

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CdSe及Er掺杂CdSe纳米带的制备及光电性质的研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第1章 绪论第10-20页
  1.1 引言第10-11页
  1.2 纳米材料概述第11-12页
  1.3 纳米材料的特性第12-14页
    1.3.1 小尺寸效应第12页
    1.3.2 量子尺寸效应第12-13页
    1.3.3 表面效应第13页
    1.3.4 宏观量子隧道效应第13-14页
    1.3.5 库仑堵塞与量子隧穿效应第14页
    1.3.6 介电限域效应第14页
  1.4 一维纳米材料的制备方法简介第14-16页
  1.5 Ⅱ-Ⅵ族一维半导体纳米材料第16-18页
    1.5.1 Ⅱ-Ⅵ族一维半导体纳米材料的概述第16页
    1.5.2 硒化镉(CdSe)的结构第16-18页
  1.6 论文的研究目的和内容安排第18-20页
    1.6.1 论文的研究目的和意义第18页
    1.6.2 论文的内容安排第18-20页
第2章 纳米带的制备与表征第20-31页
  2.1 引言第20-21页
  2.2 实验过程第21-22页
    2.2.1 实验材料及主要仪器第21页
    2.2.2 纳米带的制备第21-22页
    2.2.3 纳米带的表征手段第22页
  2.3 纯CdSe纳米带的表征第22-26页
  2.4 Er掺杂CdSe纳米带的表征第26-30页
  2.5 本章小结第30-31页
第3章 纳米材料的光学性质研究第31-44页
  3.1 引言第31-32页
  3.2 拉曼光谱第32-34页
    3.2.1 拉曼光谱的基本原理第32页
    3.2.2 纯净CdSe纳米带的拉曼光谱第32-33页
    3.2.3 Er掺杂CdSe纳米带的拉曼光谱第33-34页
  3.3 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)第34-36页
    3.3.1 紫外-可见吸收光谱的基本原理第34-35页
    3.3.2 纯净CdSe纳米带的UV-Vis光谱第35-36页
    3.3.3 Er掺杂CdSe纳米带的Uv-Vis光谱第36页
  3.4 光致发光光谱(PL)第36-38页
    3.4.1 光致发光光谱的基本原理第36-37页
    3.4.2 纯净CdSe纳米带的PL光谱第37页
    3.4.3 Er掺杂CdSe纳米带的PL光谱第37-38页
  3.5 阴极荧光光谱(CL)第38-42页
    3.5.1 阴极荧光光谱的基本原理第38-39页
    3.5.2 纯净CdSe纳米带的CL光谱第39-40页
    3.5.3 Er掺杂CdSe纳米带的CL光谱第40-42页
  3.6 本章小结第42-44页
第4章 单根纳米带器件的制备及光敏性能研究第44-59页
  4.1 引言第44-45页
  4.2 实验过程第45-48页
    4.2.1 实验材料及主要仪器第45页
    4.2.2 单根纳米带器件的制备第45-46页
    4.2.3 光电性能测试第46-47页
    4.2.4 光电性能表征第47-48页
  4.3 单根纯净CdSe纳米带器件的光电特性第48-51页
    4.3.1 单根纯净Cd Se纳米带器件的电学性质第48-49页
    4.3.2 单根纯净Cd Se纳米带器件的光导响应第49-50页
    4.3.3 单根纯净Cd Se纳米带器件的电流-时间(I-t)特性第50-51页
  4.4 单根Er掺杂CdSe纳米带器件的光电特性第51-55页
    4.4.1 单根Er掺杂CdSe纳米带器件的电学性质第51-52页
    4.4.2 单根Er掺杂CdSe纳米带器件的光响应第52-54页
    4.4.3 单根Er掺杂CdSe纳米带器件的电流-时间(I-t)特性第54-55页
  4.5 多根CdSe纳米带器件的光电特性第55-58页
    4.5.1 多根CdSe纳米带器件的电学性质第55-56页
    4.5.2 多根CdSe纳米带器件的光响应第56-57页
    4.5.3 多根CdSe纳米带器件的电流-时间(I-t)特性第57-58页
  4.6 本章小结第58-59页
第5章 总结与展望第59-62页
  5.1 总结第59-60页
  5.2 展望第60-62页
参考文献第62-66页
攻读学位期间发表的论文和研究成果第66-67页
致谢第67页

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