论文目录 | |
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 纳米材料概述 | 第11-12页 |
1.3 纳米材料的特性 | 第12-14页 |
1.3.1 小尺寸效应 | 第12页 |
1.3.2 量子尺寸效应 | 第12-13页 |
1.3.3 表面效应 | 第13页 |
1.3.4 宏观量子隧道效应 | 第13-14页 |
1.3.5 库仑堵塞与量子隧穿效应 | 第14页 |
1.3.6 介电限域效应 | 第14页 |
1.4 一维纳米材料的制备方法简介 | 第14-16页 |
1.5 Ⅱ-Ⅵ族一维半导体纳米材料 | 第16-18页 |
1.5.1 Ⅱ-Ⅵ族一维半导体纳米材料的概述 | 第16页 |
1.5.2 硒化镉(CdSe)的结构 | 第16-18页 |
1.6 论文的研究目的和内容安排 | 第18-20页 |
1.6.1 论文的研究目的和意义 | 第18页 |
1.6.2 论文的内容安排 | 第18-20页 |
第2章 纳米带的制备与表征 | 第20-31页 |
2.1 引言 | 第20-21页 |
2.2 实验过程 | 第21-22页 |
2.2.1 实验材料及主要仪器 | 第21页 |
2.2.2 纳米带的制备 | 第21-22页 |
2.2.3 纳米带的表征手段 | 第22页 |
2.3 纯CdSe纳米带的表征 | 第22-26页 |
2.4 Er掺杂CdSe纳米带的表征 | 第26-30页 |
2.5 本章小结 | 第30-31页 |
第3章 纳米材料的光学性质研究 | 第31-44页 |
3.1 引言 | 第31-32页 |
3.2 拉曼光谱 | 第32-34页 |
3.2.1 拉曼光谱的基本原理 | 第32页 |
3.2.2 纯净CdSe纳米带的拉曼光谱 | 第32-33页 |
3.2.3 Er掺杂CdSe纳米带的拉曼光谱 | 第33-34页 |
3.3 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) | 第34-36页 |
3.3.1 紫外-可见吸收光谱的基本原理 | 第34-35页 |
3.3.2 纯净CdSe纳米带的UV-Vis光谱 | 第35-36页 |
3.3.3 Er掺杂CdSe纳米带的Uv-Vis光谱 | 第36页 |
3.4 光致发光光谱(PL) | 第36-38页 |
3.4.1 光致发光光谱的基本原理 | 第36-37页 |
3.4.2 纯净CdSe纳米带的PL光谱 | 第37页 |
3.4.3 Er掺杂CdSe纳米带的PL光谱 | 第37-38页 |
3.5 阴极荧光光谱(CL) | 第38-42页 |
3.5.1 阴极荧光光谱的基本原理 | 第38-39页 |
3.5.2 纯净CdSe纳米带的CL光谱 | 第39-40页 |
3.5.3 Er掺杂CdSe纳米带的CL光谱 | 第40-42页 |
3.6 本章小结 | 第42-44页 |
第4章 单根纳米带器件的制备及光敏性能研究 | 第44-59页 |
4.1 引言 | 第44-45页 |
4.2 实验过程 | 第45-48页 |
4.2.1 实验材料及主要仪器 | 第45页 |
4.2.2 单根纳米带器件的制备 | 第45-46页 |
4.2.3 光电性能测试 | 第46-47页 |
4.2.4 光电性能表征 | 第47-48页 |
4.3 单根纯净CdSe纳米带器件的光电特性 | 第48-51页 |
4.3.1 单根纯净Cd Se纳米带器件的电学性质 | 第48-49页 |
4.3.2 单根纯净Cd Se纳米带器件的光导响应 | 第49-50页 |
4.3.3 单根纯净Cd Se纳米带器件的电流-时间(I-t)特性 | 第50-51页 |
4.4 单根Er掺杂CdSe纳米带器件的光电特性 | 第51-55页 |
4.4.1 单根Er掺杂CdSe纳米带器件的电学性质 | 第51-52页 |
4.4.2 单根Er掺杂CdSe纳米带器件的光响应 | 第52-54页 |
4.4.3 单根Er掺杂CdSe纳米带器件的电流-时间(I-t)特性 | 第54-55页 |
4.5 多根CdSe纳米带器件的光电特性 | 第55-58页 |
4.5.1 多根CdSe纳米带器件的电学性质 | 第55-56页 |
4.5.2 多根CdSe纳米带器件的光响应 | 第56-57页 |
4.5.3 多根CdSe纳米带器件的电流-时间(I-t)特性 | 第57-58页 |
4.6 本章小结 | 第58-59页 |
第5章 总结与展望 | 第59-62页 |
5.1 总结 | 第59-60页 |
5.2 展望 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-66页 |
攻读学位期间发表的论文和研究成果 | 第66-67页 |
致谢 | 第67页 |