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面向三维集成的硅通孔互连信号完整性与电气建模研究

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面向三维集成的硅通孔互连信号完整性与电气建模研究
论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-13页
第一章 绪论第13-21页
  · 三维集成发展背景第13-17页
    · 三维集成技术第13-14页
    · 三维集成互连技术第14-15页
    · 三维集成中的硅通孔互连技术第15-17页
  · 基于硅通孔的三维集成设计挑战第17-19页
    · 三维集成电路的信号完整性研究第17-18页
    · 三维集成封装和互连等效建模第18-19页
  · 本文的主要研究内容第19-21页
第二章 硅通孔互连通道传输特性分析第21-34页
  · 硅通孔技术第21-25页
    · 硅通孔类型第21-23页
    · 硅通孔集成技术第23页
    · 硅通孔工艺技术第23-25页
  · 硅通孔互连通道的传输特性仿真分析第25-33页
    · 硅通孔仿真模型第25-26页
    · 时域仿真分析第26-28页
    · 硅通孔通道的结构和材料参数仿真分析第28-33页
  · 本章小结第33-34页
第三章 硅通孔互连通道的串扰研究第34-47页
  · 串扰基础第34-36页
  · 单攻击信号第36-42页
    · 上升沿时间第37-38页
    · 硅通孔直径第38-39页
    · 硅通孔高度第39页
    · 氧化物隔离层厚度第39-40页
    · 硅通孔之间间距第40-41页
    · 硅衬底类型第41-42页
    · 防护线第42页
  · 多攻击信号第42-45页
    · 多攻击信号的影响第43-44页
    · 同步开关模式的影响第44-45页
    · 开关时延的影响第45页
  · 不同 TSV 阵列布局的影响第45-46页
  · 本章小结第46-47页
第四章 硅通孔互连通道等效建模第47-63页
  · 硅通孔等效模型及参数提取方法第47-54页
    · π形等效电路模型第47-48页
    · T 形等效电路模型第48-49页
    · 传输线等效电路模型第49-51页
    · 交流方法第51页
    · 准静态方法第51页
    · 解析法第51-54页
  · 硅通孔互连通道的可伸缩等效模型第54-60页
    · 等效电容参数第56-58页
    · 等效电导参数第58-59页
    · 等效电阻参数第59-60页
    · 等效电感参数第60页
  · 硅通孔通道等效模型的仿真验证第60-62页
  · 本章小结第62-63页
第五章 硅通孔的 MOS 电容效应研究第63-80页
  · 硅通孔 MOS 电容概述第63-66页
    · 硅通孔电容结构第63-64页
    · 电容-电压特性第64-65页
    · 频率特性第65-66页
  · 硅通孔耗尽层近似分析第66-72页
    · 导体外表面耗尽层第66-69页
    · 导体内表面耗尽层第69-72页
  · 参数扫描分析第72-76页
    · 硅通孔直径第72页
    · 氧化物隔离层厚度第72-73页
    · 氧化物隔离层材料第73-74页
    · 硅通孔中心导体材料第74-76页
  · 考虑耗尽层的电磁仿真第76-78页
  · 设计指南初步总结第78-79页
    · 硅通孔应用于信号传输网络第78页
    · 硅通孔应用于电源配送网络第78-79页
    · 硅通孔用作变容器第79页
  · 本章小结第79-80页
第六章 总结及展望第80-83页
  · 总结第80-81页
  · 展望第81-83页
参考文献第83-87页
致谢第87-88页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第88页

本篇论文共88页,点击这进入下载页面
 
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