面向三维集成的硅通孔互连信号完整性与电气建模研究
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面向三维集成的硅通孔互连信号完整性与电气建模研究
论文目录
摘要
第1-5页
ABSTRACT
第5-13页
第一章 绪论
第13-21页
· 三维集成发展背景
第13-17页
· 三维集成技术
第13-14页
· 三维集成互连技术
第14-15页
· 三维集成中的硅通孔互连技术
第15-17页
· 基于硅通孔的三维集成设计挑战
第17-19页
· 三维集成电路的信号完整性研究
第17-18页
· 三维集成封装和互连等效建模
第18-19页
· 本文的主要研究内容
第19-21页
第二章 硅通孔互连通道传输特性分析
第21-34页
· 硅通孔技术
第21-25页
· 硅通孔类型
第21-23页
· 硅通孔集成技术
第23页
· 硅通孔工艺技术
第23-25页
· 硅通孔互连通道的传输特性仿真分析
第25-33页
· 硅通孔仿真模型
第25-26页
· 时域仿真分析
第26-28页
· 硅通孔通道的结构和材料参数仿真分析
第28-33页
· 本章小结
第33-34页
第三章 硅通孔互连通道的串扰研究
第34-47页
· 串扰基础
第34-36页
· 单攻击信号
第36-42页
· 上升沿时间
第37-38页
· 硅通孔直径
第38-39页
· 硅通孔高度
第39页
· 氧化物隔离层厚度
第39-40页
· 硅通孔之间间距
第40-41页
· 硅衬底类型
第41-42页
· 防护线
第42页
· 多攻击信号
第42-45页
· 多攻击信号的影响
第43-44页
· 同步开关模式的影响
第44-45页
· 开关时延的影响
第45页
· 不同 TSV 阵列布局的影响
第45-46页
· 本章小结
第46-47页
第四章 硅通孔互连通道等效建模
第47-63页
· 硅通孔等效模型及参数提取方法
第47-54页
· π形等效电路模型
第47-48页
· T 形等效电路模型
第48-49页
· 传输线等效电路模型
第49-51页
· 交流方法
第51页
· 准静态方法
第51页
· 解析法
第51-54页
· 硅通孔互连通道的可伸缩等效模型
第54-60页
· 等效电容参数
第56-58页
· 等效电导参数
第58-59页
· 等效电阻参数
第59-60页
· 等效电感参数
第60页
· 硅通孔通道等效模型的仿真验证
第60-62页
· 本章小结
第62-63页
第五章 硅通孔的 MOS 电容效应研究
第63-80页
· 硅通孔 MOS 电容概述
第63-66页
· 硅通孔电容结构
第63-64页
· 电容-电压特性
第64-65页
· 频率特性
第65-66页
· 硅通孔耗尽层近似分析
第66-72页
· 导体外表面耗尽层
第66-69页
· 导体内表面耗尽层
第69-72页
· 参数扫描分析
第72-76页
· 硅通孔直径
第72页
· 氧化物隔离层厚度
第72-73页
· 氧化物隔离层材料
第73-74页
· 硅通孔中心导体材料
第74-76页
· 考虑耗尽层的电磁仿真
第76-78页
· 设计指南初步总结
第78-79页
· 硅通孔应用于信号传输网络
第78页
· 硅通孔应用于电源配送网络
第78-79页
· 硅通孔用作变容器
第79页
· 本章小结
第79-80页
第六章 总结及展望
第80-83页
· 总结
第80-81页
· 展望
第81-83页
参考文献
第83-87页
致谢
第87-88页
在学期间的研究成果及发表的学术论文
第88页
本篇论文共
88
页,
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。
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